美光是第三家進(jìn)入HBM市場(chǎng)的內(nèi)存廠商，前兩家是三星和海力士，作為為數(shù)不多的內(nèi)存廠商，有理由相信HBM2肯定將出自這三家之手。

總體而言，雖然美光一直處于全球存儲(chǔ)技術(shù)的前沿，但美光在HBM方面有些滯后。之前美光的主要精力在于GDDR5X上，以及使用了Hybird Memory Cube（HMC）的快速堆疊內(nèi)存上。

2011年，美光在與三星和IBM的共同努力下推出了HMC，HMC是一種類似堆疊式的DRAM，主要用于對(duì)內(nèi)存帶寬有特別需求的應(yīng)用，特點(diǎn)是寬度總線低但是數(shù)據(jù)傳輸速率極高，帶寬遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于當(dāng)時(shí)主流的DDR3。

很明顯，HBM和HMC是競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，HMC在市場(chǎng)確實(shí)有一些應(yīng)用，比如在加速器和超級(jí)計(jì)算機(jī)等產(chǎn)品中。不過，現(xiàn)在看來，HMC還是輸給了用的更廣泛的HBM/HBM2。

美光在2018年放棄了HMC，轉(zhuǎn)而支持GDDR6和HBM。

兜兜轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)，美光用了兩年時(shí)間終于開發(fā)出了HMB2內(nèi)存設(shè)備，2020年將正式推出。目前，美光還沒有具體說這個(gè)產(chǎn)品的詳細(xì)參數(shù)。

不過，可以肯定的是，它將會(huì)采用第三代的10nm制程技術(shù)，將會(huì)在性能和容量方面與三星和海力士一較高下。

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