有消息稱，美光科技第四代3D NAND芯片完成首批流片，新一代產(chǎn)品基于美光全新研發(fā)的取代柵極（Replacement Gate）架構(gòu)。不過美光也表示，新一代產(chǎn)品計劃于2020年實現(xiàn)量產(chǎn)，但僅將應(yīng)用于特定領(lǐng)域，因此，明年其3D NAND成本降低將會很少。不過美光承諾2021財年（2020年9月份開始），大規(guī)模應(yīng)用取代柵極結(jié)構(gòu)后，每bit的成本將有效降低。
美光新型取代柵極架構(gòu)將首次應(yīng)用在128層產(chǎn)品中，繼續(xù)沿用CMOS陣列。美光之前的3D NAND閃存芯片采用同英特爾一起研發(fā)的浮柵結(jié)構(gòu)，新一代取代柵極結(jié)構(gòu)有望讓晶圓大小和成本進一步降低，并可以更輕松過渡到下一代3D NAND技術(shù)。
該技術(shù)完全由美光公司開發(fā)，沒有英特爾的任何投入，因此它很可能是針對美光最希望面向的應(yīng)用量身定制（可能是高ASP，如移動設(shè)備，消費類產(chǎn)品等）。
美光CEO，Sanjay Mehrotra表示，我們已經(jīng)成功完成取代柵極架構(gòu)的3D NAND芯片的首次流片。首代取代柵極架構(gòu)將被應(yīng)用于128層NAND產(chǎn)品。
