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根據(jù)計劃，紫光重慶DRAM存儲芯片制造工廠計劃于2019年底開工建設(shè)，預(yù)計2021年建成投產(chǎn)。在此之前，紫光集團已在6月份宣布組建DRAM事業(yè)群，委任刁石京為紫光集團DRAM事業(yè)群董事長，委任高啟全為紫光集團DRAM事業(yè)群CEO。
從DRAM存儲芯片制造工廠，到DRAM事業(yè)群總部，再到紫光云（南方）總部等，紫光在重慶的重大布局，在推動智能產(chǎn)業(yè)“補鏈成群”，推動經(jīng)濟社會高質(zhì)量發(fā)展上，具有十分重要的戰(zhàn)略意義。
與此同時，紫光也在積極推進3D NAND的發(fā)展，填補中國在核心技術(shù)和市場上的空白。在3D NAND技術(shù)上，長江存儲研發(fā)的Xtacking技術(shù)，已導(dǎo)入到64層3D NAND中，并計劃年內(nèi)正式量產(chǎn)。日前，紫光集團首次公開展示了長江存儲64層NAND Flash Wafer，這是長江存儲第二代64層3D NAND，每片晶圓可以切割出超過1000顆裸芯片。
△ 64層3D NAND晶圓
為了強化3D NAND生產(chǎn)規(guī)?；?，由紫光參與投資總額達240億美元的武漢存儲基地從2017年開始建設(shè)，工廠可以實現(xiàn)每月15萬片的產(chǎn)能。2018年又啟動了武漢存儲基地二期工廠的建設(shè)，到2020年月總產(chǎn)能可達30萬片，2030年躍升至100萬片，成世界級存儲器生產(chǎn)基地。此外，還有正在新建的紫光集團紫光南京集成電路基地和紫光成都存儲器制造基地，都是重要存儲器生產(chǎn)基地。
從整個布局來看，在存儲領(lǐng)域，紫光正在從技術(shù)研發(fā)、制造生產(chǎn)、產(chǎn)品銷售等環(huán)節(jié)加強布局，同時也通過全球化的合作擴大業(yè)務(wù)，再加上紫光自身產(chǎn)業(yè)鏈資源，新華三、紫光存儲、紫光展銳等公司的配合，將可快速推進存儲芯片國產(chǎn)化的落地，贏得市場。
