英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼

如今，數(shù)據(jù)無所不在且爆發(fā)速度驚人。伴隨海量數(shù)據(jù)的激增，企業(yè)一方面需要快速且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠地訪問和處理所有數(shù)據(jù)，一方面需要不同類型的內(nèi)存和存儲技術(shù)來應(yīng)對不同的工作負(fù)載需求，這無不為各平臺架構(gòu)的內(nèi)存和存儲帶來新挑戰(zhàn)。鑒于傳統(tǒng)的存儲選擇尚在數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存和存儲連續(xù)體中留有大量空白，英特爾率先將領(lǐng)先的傲騰?技術(shù)與QLC 3D NAND?技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，幫助企業(yè)打破內(nèi)存和存儲瓶頸，獲得集高性能、大容量和高可靠性于一身的內(nèi)存和存儲解決方案。

英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤將內(nèi)存和存儲的屬性與高吞吐量、低延遲、高服務(wù)質(zhì)量 (QoS) 和高耐久性完美結(jié)合，其架構(gòu)設(shè)計(jì)可在字節(jié)級別執(zhí)行寫入操作，從而獲得更快、更可預(yù)測的性能和更均衡的讀寫性能，使其非常適合Ceph元數(shù)據(jù)(RocksDB & WAL)層。而英特爾^?QLC 3D NAND技術(shù)旨在以市場上最高的外圍組件互聯(lián)高速*(PCIe*)數(shù)據(jù)量密度和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的價(jià)位來提供閃存可靠性，從而能夠?yàn)镃eph對象存儲進(jìn)程的數(shù)據(jù)層帶來更低的硬件成本，更大的存儲容量和更高的系統(tǒng)性能，并使低成本的全閃存陣列取代HDD陣列成為可能。因此，傲騰技術(shù)與QLC 3D NAND技術(shù)的結(jié)合，將幫助企業(yè)打造更高性能和更低成本的軟件定義存儲解決方案，并在開源技術(shù)的幫助下，充分發(fā)揮英特爾內(nèi)存存儲技術(shù)的優(yōu)勢。

英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生表示：“英特爾一直致力于通過領(lǐng)先的技術(shù)來革新整個(gè)內(nèi)存和存儲市場，并通過打造更加優(yōu)化的異構(gòu)存儲解決方案來滿足不同層級的數(shù)據(jù)處理需求。面對軟件定義存儲快速發(fā)展的趨勢，英特爾將更加積極地發(fā)揮技術(shù)前瞻者的角色，通過更加強(qiáng)大、靈活的內(nèi)存存儲技術(shù)，驅(qū)動軟件定義存儲加速進(jìn)入一個(gè)新的發(fā)展階段。”?

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