嵌入式存儲器的電荷存儲中面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，三星克服技術(shù)障礙，并將制程節(jié)點(diǎn)發(fā)展到28nm，不僅用更低的成本提供更優(yōu)的功率和速度優(yōu)勢，還具有非易失性、隨機(jī)存取和強(qiáng)耐久性的特征，是可期的持續(xù)性發(fā)展的產(chǎn)品，未來將有望取代DRAM和NOR Flash技術(shù)。

由于MRAM在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除，因此寫入速度大約比EFlash快1000倍。此外，EMRAM使用的電壓比EFlash低，并且在斷電模式下不消耗電力，從而提高了功率效率。另外，由于EMRAM模塊可以與現(xiàn)有的邏輯技術(shù)（如Bulk、Fin和FD-SOI晶體管）輕松集成，可以節(jié)省成本。

三星代工市場副總裁Ryan Lee表示：“在克服新材料的復(fù)雜挑戰(zhàn)后，我們推出了嵌入式非易失性存儲器（eNVM）技術(shù)，并通過EMRAM與現(xiàn)有成熟的邏輯技術(shù)相結(jié)合，三星將繼續(xù)擴(kuò)大新興的非易失存儲器(eNVM)工藝產(chǎn)品組合，以提供獨(dú)特的競爭優(yōu)勢和卓越的可生產(chǎn)性，以滿足客戶和市場需求?！?/p>

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