存儲容量接近98%時(shí)，EU321的寫入性能依然沒有降低西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
新款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，能夠?yàn)橹悄苁謾C(jī)、平板電腦和PC筆記本電腦設(shè)備提供強(qiáng)大的數(shù)據(jù)性能，較于前代產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)重點(diǎn)加強(qiáng)了閃存盤的隨機(jī)讀寫速度。當(dāng)設(shè)備接近寫滿最大容量時(shí)，通過SmartSLC，在數(shù)據(jù)傳輸過程中的閑置時(shí)間清理碎片數(shù)據(jù)，空出更多的存儲塊來高速處理數(shù)據(jù)流保持高性能，以此解除使用容量與性能之間的相互傾軋，使用戶獲得良好的體驗(yàn)。
存儲容量接近98%時(shí)，EU321的寫入性能依然沒有降低
西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321的三代產(chǎn)品性能對比
SmartSLC架構(gòu)數(shù)據(jù)處理流程
iNAND MC EU321是iNAND系列的新成員，該系列十多年來一直受到全球所有主要智能手機(jī)和平板制造商的信賴。iNAND MC EU321 EFD可提供高達(dá)550MB/s的連續(xù)寫入性能，從而實(shí)現(xiàn)卓越的用戶體驗(yàn)。西部數(shù)據(jù)公司目前正在就容量高達(dá)256GB的存儲解決方案在OEM中開展測試。
如今西部數(shù)據(jù)的嵌入式閃存盤首要面向手機(jī)，未來西部數(shù)據(jù)仍將面向更多的市場如互聯(lián)家庭，自動(dòng)駕駛，視頻監(jiān)控等擴(kuò)展EU321的更多類型產(chǎn)品。
