在美國(guó)閃存峰會(huì)（FMS）上，SK海力士公布了其未來(lái)閃存產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展路線圖。但在營(yíng)銷相比現(xiàn)實(shí)情況有些跑偏，SK海力士已將新款閃存命名為“4D NAND”。這也意味著3D閃存系列增加了一個(gè)新規(guī)格，不過(guò)即便有其它一些現(xiàn)有閃存技術(shù)加入，但它看上去跟英特爾和美光開(kāi)發(fā)的技術(shù)類似。

SK海力士新推出的4D NAND采用了電荷捕獲型設(shè)計(jì)，類似三星和WD/東芝生產(chǎn)的閃存。多年來(lái)SK海力士一直使用Charge Trap Flash（CTF，電荷捕獲型閃存）設(shè)計(jì)，因此不算新鮮，目前英特爾和美光是唯一兩家采用浮柵技術(shù)的閃存制造商。這兩家也計(jì)劃在其新一代閃存進(jìn)入市場(chǎng)后獨(dú)立執(zhí)行閃存開(kāi)發(fā)工作。之后美光會(huì)采用自己的取代柵極技術(shù)（Replacement Gate），即簡(jiǎn)單的Charge Trap Flash技術(shù)的品牌重塑。換句話說(shuō)，英特爾很快就會(huì)成為唯一采用浮柵技術(shù)的閃存制造商。

那SK海力士的4D NAND與競(jìng)爭(zhēng)“對(duì)手”3D NAND的區(qū)別是什么呢？SK海力士稱其結(jié)合了自身CTF設(shè)計(jì)與Periphery Under Cell（PUC）技術(shù)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，3D閃存由陣列和外圍電路兩個(gè)主要組件組成。與傳統(tǒng)3D NAND相同，SK海力士的陣列是垂直堆疊的層用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而外圍電路排列在單元邊緣。由電路控制陣列，但隨著NAND層的增加，它就會(huì)消耗芯片空間，增加復(fù)雜性與尺寸大小，由此增加產(chǎn)品的最終成本。

為了解決這一問(wèn)題，SK海力士的4D NAND采用了PUC設(shè)計(jì)，將外圍電路放置在陣列之下而不是圍繞，來(lái)提高存儲(chǔ)密度，同時(shí)降低成本。然而，這與英特爾和美光首次推出第一代3D閃存設(shè)計(jì)相同，那邊稱之為“CMOS under Array”（CuA）。并且，三星也已經(jīng)宣布其將來(lái)會(huì)轉(zhuǎn)向CuA型設(shè)計(jì)，因此這絕不能算是新技術(shù)了。

然后同樣也是在FMS上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)布了自己的新型3D NAND架構(gòu)——Xtacking。恩，技術(shù)也是類似，只不過(guò)Xtacking技術(shù)是將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。如此還可以實(shí)現(xiàn)并行的、模塊化的產(chǎn)品設(shè)計(jì)及制造，產(chǎn)品開(kāi)發(fā)時(shí)間縮短三個(gè)月，生產(chǎn)周期可縮短20%，從而大幅縮短3D NAND產(chǎn)品的上市時(shí)間。

因此，SK海力士重塑現(xiàn)有技術(shù)必然不會(huì)將NAND納入到第四維度。目前我們尚未看到這款新NAND如何發(fā)揮作用，但作為技術(shù)品牌的4D NAND更多像是一次瘋狂市場(chǎng)營(yíng)銷。

除此之外，SK海力士的技術(shù)發(fā)展路線讓人印象深刻。其將在2018年第四季度對(duì)第一代4D NAND采樣。其中96層TLC閃存，面向SSD，其標(biāo)準(zhǔn)單晶圓（die）容量為1Tb，而面向BGA封裝SSD，其單晶圓容量為512Gb。

SK海力士還在開(kāi)發(fā)QLC 4D NAND。2019年下半年，這種96層閃存“變體”才會(huì)上市，遠(yuǎn)落后于其它要么QLC產(chǎn)品發(fā)售，要么今年上市的閃存制造商。目前為止，SK海力士看到了一條通往500層4D NAND的進(jìn)擊之路，但未對(duì)這一產(chǎn)品設(shè)立時(shí)間線。

崔歡歡