華中科技大學(xué)武漢國(guó)際微電子學(xué)院執(zhí)行院長(zhǎng) 鄒雪城
鄒院長(zhǎng)一直從事電子信息工程與微電子技術(shù)的研究工作,在顯示技術(shù)領(lǐng)域如a-Si/poly-Si TFT LCD工藝、器件及外圍控制驅(qū)動(dòng)電路和工業(yè)化技術(shù)等方面有較大成就。先后主持國(guó)家自然科學(xué)基金、國(guó)家”863″計(jì)劃項(xiàng)目、國(guó)防研究基金、國(guó)家攻關(guān)、國(guó)防電子預(yù)先研究重點(diǎn)項(xiàng)目等共30余項(xiàng)科學(xué)研究與開發(fā)項(xiàng)目。在國(guó)內(nèi)外重要學(xué)術(shù)期刊和學(xué)術(shù)會(huì)議上發(fā)表論文近300篇,申請(qǐng)并獲批中國(guó)專利60余項(xiàng),獲得部級(jí)科研成果獎(jiǎng)2項(xiàng)。作為論壇主席,鄒院長(zhǎng)將會(huì)引領(lǐng)大家感受一場(chǎng)別樣的知識(shí)分享會(huì),拭目以待。
上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所納米技術(shù)研究室主任 宋志棠
宋志棠是上海微系統(tǒng)所納電子材料與器件學(xué)科帶頭人,國(guó)內(nèi)PCRAM材料與器件研究的開創(chuàng)者,國(guó)家集成電路重大專項(xiàng)PCRAM項(xiàng)目和973項(xiàng)目首席科學(xué)家與項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。主要研究方向?yàn)橄嘧兇鎯?chǔ)材料與器件、納米拋光液等,主張與產(chǎn)業(yè)結(jié)合開展相變存儲(chǔ)器(PCRAM)研發(fā),并與中芯國(guó)際和Microchip聯(lián)合建立了12英寸PCRAM專用技術(shù)平臺(tái),開發(fā)出了我國(guó)第一款PCRAM芯片,在中國(guó)首次將PCRAM芯片推向量產(chǎn)。本次大會(huì)宋主任將為你帶來相變存儲(chǔ)介質(zhì)的發(fā)展與最新研究發(fā)現(xiàn)。
復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長(zhǎng) 張衛(wèi)
張衛(wèi)教授自1997年以來在集成電路先導(dǎo)工藝技術(shù)、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料等方面開展系統(tǒng)研究,并取得如先進(jìn)銅互連技術(shù)、新型阻變存儲(chǔ)器和半浮柵器件等創(chuàng)新性成果。今年集芯片成為當(dāng)下科技領(lǐng)域最熱詞語(yǔ)沒有之一,被認(rèn)為是國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)中的決勝領(lǐng)域。張教授曾指出核心器件將引領(lǐng)集成電路的創(chuàng)新發(fā)展。其主要研究的半浮柵晶體管是一種新型微電子基礎(chǔ)器件,結(jié)合了隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TEET)和浮柵晶體管構(gòu)建,致力于解決我國(guó)集成電路主流技術(shù)方向選擇和可靠技術(shù)來源問題。現(xiàn)在大家對(duì)了解半浮柵晶體管的應(yīng)用是不是有點(diǎn)小期待呢?
中電海康馳拓科技有限公司總經(jīng)理 劉波
2015年,劉波博士帶領(lǐng)中電??荡判鎯?chǔ)事業(yè)部正式注冊(cè)成立為“浙江??雕Y拓科技有限公司”,成為中電??导瘓F(tuán)有限公司旗下獨(dú)立子公司。去年11月,由??雕Y拓主導(dǎo),總投入達(dá)13.5億元的中電??荡判鎯?chǔ)芯片研發(fā)及中試基地項(xiàng)目(新型存儲(chǔ)芯片—STT-MRAM)正式落戶青山湖科技城。??雕Y拓專注新型高速非易失存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的研發(fā),在劉博士的演講中,就當(dāng)前的DRAM技術(shù)VS創(chuàng)新型MRAM技術(shù),將會(huì)碰撞出怎樣的火花呢?
教育部長(zhǎng)江學(xué)者特聘教授、華中科技大學(xué)武漢國(guó)際微電子學(xué)院副院長(zhǎng) 繆向水
繆教授主要研究領(lǐng)域?yàn)橄嘧兇鎯?chǔ)器、憶阻器、磁存儲(chǔ)器、光存儲(chǔ)等信息存儲(chǔ)材料與器件。當(dāng)前,我國(guó)每年進(jìn)口額高達(dá)2600億美元,其中四分之一為存儲(chǔ)器,95%的存儲(chǔ)器芯片依靠進(jìn)口,因此實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)的新一代存儲(chǔ)芯片勢(shì)在必行。而繆教授帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)專注基于相變存儲(chǔ)器的3D XPOINT技術(shù)。相變存儲(chǔ)器號(hào)稱最有希望取代閃存的候選技術(shù)之一,利用硫系化合物晶體和非晶之間的快速切換進(jìn)行信息擦寫,在晶體管摩爾定律即將結(jié)束時(shí),形變存儲(chǔ)技術(shù)有望延續(xù)甚至突破摩爾定律,實(shí)現(xiàn)支持服務(wù)于新一代3D XPoint技術(shù)。此次他的演講主題為《相變存儲(chǔ)器及3D XPoint相關(guān)技術(shù)》。
國(guó)家千人計(jì)劃專家、四川凱路威電子有限公司董事長(zhǎng)兼CEO 彭澤忠
演講主題為《氧化層反熔絲存儲(chǔ)器(XPM-Super Permanent Memory)技術(shù)及應(yīng)用》。氧化層反熔絲存儲(chǔ)器是通過將數(shù)據(jù)存取單元構(gòu)建在超薄絕緣體介質(zhì)(例如柵氧化層)的周圍。然后在超薄絕緣介質(zhì)上施加應(yīng)力而使其擊穿(軟擊穿或硬擊穿),調(diào)整存儲(chǔ)單元的漏電流水平,從而實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)信息。彭總是XLPMTM技術(shù)和X-RFID技術(shù)的發(fā)明人,2001年創(chuàng)建四川凱路威電子有限公司,專注于新型RFID芯片的設(shè)計(jì)與開發(fā),目前已研發(fā)出高頻(HF)、超高頻(UHF)兩大系列多款芯片產(chǎn)品,并實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)。
聚辰半導(dǎo)體資深市場(chǎng)部總監(jiān) 李強(qiáng)
EEPROM(帶電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器),可在電腦或?qū)S迷O(shè)備上擦除已有數(shù)據(jù),再重新編程寫入數(shù)據(jù)。相比EPROM,EEPROM無需紫外線照射,用特定的電壓,就可以擦除數(shù)據(jù),并寫入新的數(shù)據(jù),相比閃存產(chǎn)品在擦寫次數(shù)上有更大優(yōu)勢(shì),再加上更小的尺寸和較低的擦寫電流,在智能手機(jī)市場(chǎng)炙手可熱。而聚辰目前擁有全系列的EEPROM產(chǎn)品,在其技術(shù)與應(yīng)用方面,李強(qiáng)在本次演講中將為我們帶來更多精彩內(nèi)容。
當(dāng)然,除了本論壇外,第二天的論壇還包括
閃存存儲(chǔ)技術(shù)新趨勢(shì)論壇(鏈接)
SSD設(shè)計(jì)與控制器技術(shù)論壇(鏈接)
全閃存系統(tǒng)與存儲(chǔ)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇(鏈接)
新一代存儲(chǔ)器技術(shù)與應(yīng)用論壇(鏈接)
新一代可靠性與測(cè)試技術(shù)論壇(鏈接)