趙偉國董事長強(qiáng)調(diào)，存儲器基地項(xiàng)目是中國集成電路存儲芯片產(chǎn)業(yè)規(guī)模化發(fā)展“零”的突破，相當(dāng)于中國科技領(lǐng)域的遼寧號航空母艦出海試航。該項(xiàng)目實(shí)現(xiàn)提前封頂，這是為不辱使命、堅(jiān)定不移推進(jìn)國家戰(zhàn)略所必須要做到的?？陀^地說，我們在核心技術(shù)和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)上仍然與世界一流水平存在差距，實(shí)現(xiàn)追趕超越的目標(biāo)絕非一朝一夕，需要堅(jiān)定的戰(zhàn)略定力和耐力，以及矢志不渝的長期投入；而另一方面，從現(xiàn)在開始到未來的5-10年，也正是中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的最佳窗口期。既然選擇了存儲芯片作為切入點(diǎn)和突破口，紫光集團(tuán)和長江存儲就一定要抓住機(jī)遇，直面挑戰(zhàn)，知難而上，通過超常規(guī)的投入縮短發(fā)展周期，迅速登上全球存儲行業(yè)的競爭舞臺。

國家存儲器基地項(xiàng)目不僅承載了武漢經(jīng)濟(jì)發(fā)展拼搏趕超和城市發(fā)展夢想，更是承載了國家信息安全、產(chǎn)業(yè)安全的戰(zhàn)略使命。項(xiàng)目建設(shè)引起了業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注，這恰恰說明了這個項(xiàng)目的重要性和戰(zhàn)略價值。自開工建設(shè)以來，湖北省和武漢市各級領(lǐng)導(dǎo)高度重視國家存儲器項(xiàng)目進(jìn)展，多次帶隊(duì)赴現(xiàn)場調(diào)研，協(xié)調(diào)解決各類問題，為項(xiàng)目發(fā)展做好政策保障、環(huán)境保障和服務(wù)保障。湖北省將舉全省之力一以貫之地支持長江存儲公司追趕世界先進(jìn)水平，掌握存儲芯片關(guān)鍵核心技術(shù)，建成世界一流的存儲器研發(fā)制造基地，為推動我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展做出積極貢獻(xiàn)。

據(jù)悉，國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，項(xiàng)目一期規(guī)劃投資240億美元，占地面積1968畝，于2016年12月30日正式開工建設(shè)，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash 生產(chǎn)廠房，其核心生產(chǎn)廠房和設(shè)備每平方米的投資強(qiáng)度超過3萬美元。此次提前封頂?shù)捻?xiàng)目（一期）一號生產(chǎn)及動力廠房建筑面積達(dá)52.4萬㎡，預(yù)計(jì)將于2018年投入使用。項(xiàng)目（一期）達(dá)產(chǎn)后，總產(chǎn)能將達(dá)到30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元。

湖北省和武漢市將以建設(shè)內(nèi)陸自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)、國家中心城市為契機(jī)，集聚世界資源，全力支持國家存儲器基地建成世界集成電路產(chǎn)業(yè)新高地。目前，東湖高新區(qū)已為國家存儲器基地項(xiàng)目規(guī)劃建設(shè)1100畝配套產(chǎn)業(yè)園區(qū)和1500畝國際社區(qū)用地，正在加快引進(jìn)產(chǎn)業(yè)鏈頂級配套企業(yè)和國際化人才；并加快建設(shè)武漢國際微電子學(xué)院，組建長江芯片研究院、國家先進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、存儲芯片聯(lián)盟、國家IP交易中心，努力打造世界級的集成電路產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心。

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