雖然最近西部數(shù)據(jù)和東芝忙著掐架，但兩家似乎都沒打算耽誤正事，本周西部數(shù)據(jù)宣布已經(jīng)成功開發(fā)出每單元四比特——X4閃存技術(shù)用于旗下64層3D NAND產(chǎn)品。西部數(shù)據(jù)已經(jīng)在其2D NAND產(chǎn)品上采用了X4的創(chuàng)新技術(shù)，構(gòu)建（技術(shù)和商業(yè)方面）并開發(fā)了適用于3D NAND的新型X4技術(shù)，并且還將在8月份的美國閃存峰會上展示采用BiCS3 X4技術(shù)的新型SSD。
近三十年來，西部數(shù)據(jù)在閃存技術(shù)開發(fā)方面始終不斷前行。如今該公司利用公司的深度垂直整合能力（包括硅晶圓處理，設(shè)備工程，在每個存儲節(jié)點提供十六個不同的數(shù)據(jù)級別，以及整體閃存管理的系統(tǒng)專業(yè)知識）面向市場推進這種新型X4技術(shù)。新型BiCS3 X4技術(shù)號稱在單一芯片上提供768GB的存儲容量，與之前的512GB芯片（每單元存儲3比特）相比提高了50％的容量。按照西部數(shù)據(jù)的說法，伴隨著容量的提升其仍將提供與BiCS3 X3技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/p>
3D NAND X4技術(shù)最有可能用于一些西部數(shù)據(jù)產(chǎn)品線，該技術(shù)的容量也將會持續(xù)增加。西部數(shù)據(jù)還計劃將X4技術(shù)加入到未來的3D NAND技術(shù)中，包括96層BiCS4。
