我們先來看三星的路線圖，然后再深入了解其技術(shù)發(fā)展的若干細(xì)節(jié)。

目前，三星自主10nm芯片已應(yīng)用在S8系列手機(jī)中，而從這張路線圖中可以看出，風(fēng)險生產(chǎn)是整個一年的目標(biāo)，而路線圖左側(cè)和右邊緣并不意味著什么。這很重要，因?yàn)樵谀承┣闆r下，塊的左邊緣被讀取為進(jìn)程的開始，而右邊則表示產(chǎn)品或進(jìn)程已準(zhǔn)備好完成。不同的代工廠意味著不同的東西，有時候，有時使用相同的短語。風(fēng)險生產(chǎn)、批量生產(chǎn)和實(shí)際產(chǎn)品發(fā)布之間的時間間隔將根據(jù)有關(guān)產(chǎn)品和加速過程的變幻莫測而有所不同。據(jù)悉，三星計劃在今年下半年試產(chǎn)8nm工藝，在2018年實(shí)現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)，2019年研發(fā)出6nm和5nm工藝，到2020年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)4nm工藝芯片。

當(dāng)Intel指定在給定節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行批量生產(chǎn)時，通常會在1-2個月內(nèi)啟動部件，而當(dāng)臺積電、三星或GlobalFoundries宣布批量生產(chǎn)時，下線的芯片仍然需要進(jìn)入各種設(shè)備，然后再經(jīng)過制造商特定的評估和測試。這也許就是三星在去年10月宣布批量生產(chǎn)10nm SoC（系統(tǒng)級芯片）的原因，但是第一個在設(shè)備中使用SoC的是三星Galaxy S8（今年4月21日推出），前后經(jīng)過6個月時間。

14nm LPU工藝節(jié)點(diǎn)是三星的第三代14nm技術(shù)，與早期的14nm工藝線相比，LPU節(jié)點(diǎn)的性能提高了15％。這種增量擴(kuò)張是晶圓制造業(yè)務(wù)中的創(chuàng)新技術(shù)。此外，三星提到了EUV光刻與現(xiàn)有的氬氟化光刻（ArF）之間的區(qū)別。三星的8nm節(jié)點(diǎn)最后將擴(kuò)展非EUV生產(chǎn)，嚴(yán)格地將性能提升在10nm以上。除此之外，三星認(rèn)為，面罩計數(shù)和成本將會走高，無法證明非EUV技術(shù)的合理性，而任何未來非EUV節(jié)點(diǎn)的整體性能將會比公司計劃的8nm更差。顯然，如果EUV不及時推出，代工廠將嘗試提出進(jìn)一步擴(kuò)展現(xiàn)有技術(shù)的方法。但三星已在非EUV光刻技術(shù)上進(jìn)行了至少10年光景，同時采用多圖案化和浸沒式光刻技術(shù)來補(bǔ)償EUV持續(xù)開發(fā)的困境。

此外，GlobalFoundries也曾談到其在FD-SOI上的投資，該公司預(yù)計將在FD-SOI上將eMRAM和RF硅片推向市場。眾所周知，蘋果手機(jī)的芯片代工訂單再次被臺積電搶奪，三星將臺積電視為芯片代工最大勁敵，三星特意從芯片制造業(yè)務(wù)中分拆組建新的芯片代工業(yè)務(wù)部門，并計劃將在今年第四季度投入工廠運(yùn)營，可以看出，三星每走一步都要與全球最大的晶圓代工企業(yè)臺積電展開一場激烈競爭。

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