2. 硅晶片的表面被拋光來(lái)制造一個(gè)鏡面。

處理表面來(lái)制造半導(dǎo)體

3. 晶片表面生成氧化物薄膜。

4. 光刻膠膜被涂在晶片表面。

5. 光刻膠膜暴露于通過(guò)圖樣隔板的紫外光下。

6. 暴露在紫外光下的光刻膠區(qū)域被移除了。(暴露的部分會(huì)變成一種能被顯色劑識(shí)別的物質(zhì)。)

7. 之后使用堿劑去除氧化物薄膜。顯露出硅表面。

8. 接著，所需要的離子被注入硅表面。硅的性質(zhì)就會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體，這是一種能制造出元件電氣特性的狀態(tài)。

9. 元件的電氣特性隨后會(huì)由連接線路和制造電路來(lái)生成。同一塊硅片上可以制造出很多芯片。晶圓探針用于電氣檢測(cè)芯片并確定好與不好的芯片。

注意：為了便于觀察，此圖已被簡(jiǎn)化了。在一個(gè)現(xiàn)實(shí)的晶片上，會(huì)形成晶圓凸點(diǎn)用于連接到封裝板。

從硅片上分離CPU

10. 優(yōu)良的芯片將從硅片上分離。

11. 每個(gè)分離的芯片上的晶圓凸點(diǎn)會(huì)與陶瓷或樹(shù)脂封裝板相匹配。

12. 有效移除熱量的散熱器會(huì)蓋在安裝芯片的封裝板上?，F(xiàn)在CPU就完成了。經(jīng)過(guò)各種測(cè)試，只有良好的產(chǎn)品才能被選用。

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