內(nèi)存功耗發(fā)展趨勢(shì)

DDR4內(nèi)存功耗相比DDR3降低40%。

采用超低電壓設(shè)計(jì)

DDR4的架構(gòu)還包括一個(gè)8n的預(yù)讀取的兩個(gè)或者四個(gè)的存儲(chǔ)集合，這樣的設(shè)計(jì)能夠保證DDR4具有高效的靈活性，將讀操作和寫(xiě)操作兩個(gè)分開(kāi)，分別在兩個(gè)不同的存儲(chǔ)集合里面。同時(shí)該文件中還對(duì)內(nèi)存的功耗和帶寬進(jìn)行了改善，尤其是在使用小顆粒的時(shí)候。

盡管DDR4標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)定稿，但是并不能對(duì)目前市場(chǎng)上的DRAM造成有效的沖擊。iSuppli預(yù)計(jì)在2014年全球的占有率僅僅達(dá)到12%，而在2015年的時(shí)候這個(gè)才開(kāi)始慢慢普及。

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