PCRAM技術(shù)始于2007年，IBM、Intel、三星都投入了不少精力，海力士一直在開發(fā)相關(guān)的制造工藝，并已成功造出了40nm 1Gb PCRAM。

根據(jù)今天達(dá)成的協(xié)議，海力士和IBM將在PCRAM的開發(fā)上展開合作，并由海力士負(fù)責(zé)制造和營(yíng)銷。

PCRAM是一種非易失性隨機(jī)訪問存儲(chǔ)技術(shù)，利用電阻體的結(jié)晶態(tài)和無定形態(tài)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，即使在斷電狀態(tài)下也能保持完整。PCRAM的性能有望達(dá)到NAND 閃存的一百倍，可靠性更是高達(dá)一千倍，而功耗僅相當(dāng)于DRAM。再加上相比于其它存儲(chǔ)技術(shù)更加簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，PCRAM還能大大降低生產(chǎn)成本，改變行業(yè)面貌也不夸張。

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