但是考慮到這種超高速的數(shù)據(jù)讀寫速度以及如此多的探針數(shù)目，存儲器的探針陣列需要快速和頻繁的在鐵電薄膜上不停的移動，這樣的機械運動將會導(dǎo)致膜面磨損，將會嚴(yán)重的降低探針的讀取精度。為了解決這一問題，研究人員在探針表面鍍了一層二硼化鉿(HfB2)，二硼化鉿涂層不但降低了存儲器的磨損速度，還能夠有效保證讀寫探頭移動距離在8公里之內(nèi)時仍能擁有超高的讀寫精度。

如此多的探針以及微型電子芯片，Intel的該新型存儲器的存儲容量將會非?？植?mdash;—每平方英寸能夠保存超過1TB的數(shù)據(jù)，不過Intel并未公布總存儲量為多少。

Intel主導(dǎo)的這項基于電子探針的商業(yè)存儲技術(shù)研究獲得了重大突破，該技術(shù)的存儲能力將會大大超越現(xiàn)有機械式硬盤和SSD固態(tài)硬盤。

硬盤容量的提高依賴于磁頭的靈敏度，如果磁頭越靈敏，就能在單位面積的區(qū)域上讀出更多的信息。Intel的這種新型電子探針硬盤將會從很大程度上改 變現(xiàn)有的存儲格局，不過目前仍在實驗階段，如果真正商業(yè)化的話，那么我們的個人電腦的硬盤的存儲單位將會實現(xiàn)從GB到TB的跨越式發(fā)展，并極有機會完全代 替?zhèn)鹘y(tǒng)硬盤成為計算機的主力存儲系統(tǒng)。

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