2011年5月-2012年5月64GB/128GB固態(tài)硬盤價(jià)格走勢(shì)

64GB固態(tài)硬盤從去年的699元直落到399元;128GB從1299元直接殺價(jià)到799元。網(wǎng)友們大呼過(guò)癮:“SSD廠家提著關(guān)公大刀猛砍價(jià)”。

擴(kuò)大容量

固態(tài)硬盤的主流容量從去年的30-32GB,今年擴(kuò)大容量到60-64GB,并且有往120-128GB發(fā)展的趨勢(shì)。

不過(guò)單個(gè)主控芯片,512GB容量是一個(gè)難以逾越的門檻,因?yàn)殡p面1TB的單主控固態(tài)硬盤性能出現(xiàn)嚴(yán)重衰減,因此廠商對(duì)于1TB以上容量的產(chǎn)品,更熱衷于將磁盤陣列模式應(yīng)用于PCI-E接口的固態(tài)硬盤。

提高性能

去年SATAII固態(tài)硬盤半遮半掩成為主流,SATA3.0固態(tài)硬盤不愿隨行就市。如今入門級(jí)固態(tài)硬盤市場(chǎng)成為SATA3.0的天下,讀取速度普遍超過(guò)500MB/秒。

各個(gè)固態(tài)硬盤廠商竭盡全力去提高單個(gè)產(chǎn)品的性能,不但是為了提高競(jìng)爭(zhēng)力,同時(shí)也是為了避免機(jī)械硬盤將它們淘汰。

轉(zhuǎn)換更先進(jìn)的制造工藝

硝煙彌漫:固態(tài)硬盤廠商試圖殺出一條活路

閃存制造工藝兩連跳

去年固態(tài)硬盤的閃存采用34nm制造工藝,今年普遍過(guò)渡到27-25nm,即將全面推進(jìn)到20nm-19nm。轉(zhuǎn)換制造工藝其實(shí)是更好的降低成本、擴(kuò)大產(chǎn)品容量、提高產(chǎn)品性能,不過(guò)筆者也在前面講到,閃存工藝越先進(jìn),后期遇到的瓶頸越大。

在硝煙彌漫的固態(tài)硬盤市場(chǎng),首次出現(xiàn)了拉低價(jià)格、升級(jí)制程、擴(kuò)大容量、提高速度等四種共同迸發(fā)的現(xiàn)象。固態(tài)硬盤廠商試圖通過(guò)四大行為殺出一條活路。

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wangzhen

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