用金剛石壓縮GST合金的圖像

他們發(fā)現(xiàn)可以在變化過程中改變材料的電阻水平。該大學(xué)的材料科學(xué)與工程教授En Ma是4月16日在線版本的Proceedings of the National Academy of Sciences(《美國科學(xué)院院報(bào)》)論文的作者之一。該論文報(bào)告了他們的發(fā)現(xiàn)：“和從黑到白不一樣，我們好像發(fā)現(xiàn)的是黑白之間的狀態(tài)。由于它擁有很多種電阻水平，你可以擁有更多的控制。如果你有多種狀態(tài)的話，你就可以存儲(chǔ)更多的數(shù)據(jù)。”

約翰·霍普金斯大學(xué)懷廷工程學(xué)院博士生Ming Xu是這次論文的主作者。他表示：“相變記憶體比當(dāng)前閃存驅(qū)動(dòng)器中使用的材料更穩(wěn)定。它的速度快100倍，可以寫入大約10萬次。5年內(nèi)，它還可以被用于代替計(jì)算機(jī)中的硬盤驅(qū)動(dòng)器并賦予計(jì)算機(jī)更多內(nèi)存。”

是的，這聽起來是豪言壯語，但是另一方面，也有可能它還需要幾年時(shí)間發(fā)展。PCM芯片需要制造出來，而芯片制造是耗費(fèi)數(shù)億美元的事情，因此PCM的產(chǎn)能還需要用很多年時(shí)間才能趕上并取代硬盤驅(qū)動(dòng)器。不過重復(fù)數(shù)據(jù)刪除后的2比特或3比特PCM可以比未重復(fù)數(shù)據(jù)刪除的磁盤更便宜，可以承擔(dān)主數(shù)據(jù)存儲(chǔ)任務(wù)以及主內(nèi)存功能，而磁盤則用于廉價(jià)存儲(chǔ)和大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。

一個(gè)很大的問號(hào)是PCM是否能真的同時(shí)代替DRAM和NAND并成為通用的記憶體?當(dāng)然，科學(xué)家們說不出來，這要看半導(dǎo)體工廠中的那些前沿工程師的了。

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