這張圖表顯示出閃存耐用性有點(diǎn)低：59-50納米工藝MLC閃存的相位擦除周期為10000，TLC閃存的相位擦除周期為2500。在39-30納米工藝條件下，MLC和TLC閃存的相位擦除周期分別為5000和1250;而到19-10納米工藝時(shí)，MLC和TLC的相位擦除周期就降低到3000和750，這顯然不適用于企業(yè)閃存應(yīng)用了。

數(shù)字信號(hào)處理控制器技術(shù)和復(fù)雜的糾錯(cuò)技術(shù)、超額預(yù)備技術(shù)和磨損調(diào)整技術(shù)可以提高這些數(shù)據(jù)，讓MLC閃存的工作壽命提高到數(shù)年的水平。比如，一款800GB容量的英特爾910SSD在每天寫入10張全盤數(shù)據(jù)的條件下可以使用5年的時(shí)間。

直到現(xiàn)在都沒(méi)有一家閃存控制器公司聲稱自己已經(jīng)開(kāi)發(fā)出具備企業(yè)級(jí)耐用性的TLC閃存產(chǎn)品。DensBits走在最前面。 DB 3610控制器可以提供極高的耐用性數(shù)據(jù)，它的耐用性數(shù)據(jù)超過(guò)10000P-E周期，是MLC耐用性的兩倍多，而且讀寫數(shù)據(jù)的性能接近MLC閃存。

公司表示，它支持2X納米和1X納米工藝技術(shù)，使用它的控制器的固態(tài)硬盤可以達(dá)到95MB/s的順序讀數(shù)據(jù)性能，65MB/s的順序?qū)憯?shù)據(jù)性能，4000隨機(jī)讀數(shù)據(jù)IOPS和1100隨機(jī)寫數(shù)據(jù)IOPS。這都是相當(dāng)驚人的數(shù)據(jù)。

DensBits將其專利技術(shù)稱作Memory Modem技術(shù)(內(nèi)存調(diào)制解調(diào)器技術(shù))。它說(shuō)：

這項(xiàng)專利技術(shù)是由聯(lián)合設(shè)計(jì)并具有全部專利權(quán)的糾錯(cuò)技術(shù)、數(shù)字信號(hào)處理技術(shù)和閃存管理解決方案組成，專門針對(duì)高級(jí)閃存中的特殊問(wèn)題而設(shè)計(jì)。DensBits的專利糾錯(cuò)解決方案體現(xiàn)出科技進(jìn)步的成果，到目前為止，這項(xiàng)解決方案超過(guò)了包括LDPC在內(nèi)的業(yè)內(nèi)最佳的糾錯(cuò)解決方案。

它估計(jì)它的技術(shù)可以將TLC閃存價(jià)格降低30%，讓它們能夠被應(yīng)用于各種內(nèi)嵌式應(yīng)用。DensBits營(yíng)銷與業(yè)務(wù)發(fā)展執(zhí)行副總裁Amir Tirosh表示：“我們現(xiàn)在還在努力拓展我們的產(chǎn)品在消費(fèi)者和企業(yè)應(yīng)用市場(chǎng)的應(yīng)用范圍。”

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