全球先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)軍品牌三星電子今天宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)用于固態(tài)硬盤的業(yè)內(nèi)首個(gè)3bit MLC 3D V-NAND閃存。

　　三星電子存儲(chǔ)芯片營銷部門負(fù)責(zé)人韓宰洙高級(jí)副總裁表示：“通過推出一條全新的高性能高密度固態(tài)硬盤產(chǎn)品線，我們相信3bit V-NAND將會(huì)加快數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備從傳統(tǒng)硬盤向固態(tài)硬盤的轉(zhuǎn)換。固態(tài)硬盤產(chǎn)品的多樣化，將加強(qiáng)三星產(chǎn)品的市場競爭力，進(jìn)一步推動(dòng)三星固態(tài)硬盤業(yè)務(wù)的發(fā)展。”

　　3bit V-NAND閃存是基于三星第二代V-NAND芯片技術(shù)的最新產(chǎn)品，每片閃存芯片由32層垂直堆疊的存儲(chǔ)單元組成，單片閃存的存儲(chǔ)容量可達(dá)128Gb。利用三星獨(dú)有的3D電荷捕獲型柵極存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)技術(shù)(3D Charge Trap Flash),各個(gè)存儲(chǔ)單元把電荷存儲(chǔ)在絕緣體中，并通過存儲(chǔ)單元陣列一層接一層地向上垂直堆疊，制造出含有數(shù)十億個(gè)存儲(chǔ)單元的芯片。

　　該款產(chǎn)品單個(gè)存儲(chǔ)單元容量為3bit，每片芯片存儲(chǔ)單元陣列垂直堆疊32層，因而大大提高了生產(chǎn)效率。與三星的10納米級(jí)3bit平面閃存相比，新推出的3bit V-NAND立體閃存的晶圓生產(chǎn)效率提高了一倍以上。

　　三星于2013年8月推出了第一代24層V-NAND閃存，并在今年5月宣布了第二代32層V-NAND存儲(chǔ)單元陣列結(jié)構(gòu)。而本月量產(chǎn)3bit 32層V-NAND閃存，則標(biāo)志著三星正在通過加速V-NAND量產(chǎn)技術(shù)的發(fā)展引領(lǐng)著3D存儲(chǔ)芯片的新紀(jì)元。

　　自2012年首次推出基于3bit平面閃存的固態(tài)硬盤之后，三星已經(jīng)證明了市場對高密度3bit閃存固態(tài)硬盤的廣泛需求。此次推出的業(yè)內(nèi)首款3bit 3D V-NAND閃存預(yù)計(jì)將大大拓展市場對V-NAND閃存的采納，使基于V-NAND的固態(tài)硬盤在有效解決大多數(shù)服務(wù)器廠商對高耐久性存儲(chǔ)設(shè)備的需求的同時(shí)，將應(yīng)用范圍擴(kuò)大到一般個(gè)人電腦用戶。