時(shí)至今日，客戶對于服務(wù)器應(yīng)用程序的速度需求愈發(fā)嚴(yán)苛，而為其提供數(shù)據(jù)傳輸保障的閃存卡產(chǎn)品也因此如日中天。在這樣的背景之下，三星公司公布了其量產(chǎn)型面向高端企業(yè)級服務(wù)器用戶的3.2TB NVMePCIe SSD產(chǎn)品，并在其中使用了3D V-NAND技術(shù)。根據(jù)該公司的說法，未來還將有存儲容量更高的設(shè)備相繼面世。

這款全新的nvmepcie固態(tài)硬盤sm1715采用了三星獨(dú)有的3dv-nand閃存芯片以及半高半長式(hhhl)擴(kuò)展卡規(guī)格，為用戶提供高達(dá)3.2tb的存儲容量，將上一代NVMe SSD XS1715的1.6TB最大存儲容量提升了一倍。

上代產(chǎn)品能夠提供高達(dá)74萬4K數(shù)據(jù)塊IOPS并具備每秒3GB讀取傳輸帶寬。在此基礎(chǔ)上，SM1715擁有高達(dá)75萬/13萬隨機(jī)讀取/寫入IOPS(數(shù)據(jù)塊大小尚不明確，但這里假定其為4K)并提供3GB每秒的讀取傳輸帶寬與2.2GB每秒的寫入傳輸帶寬。三星此后將陸續(xù)發(fā)布更多與該產(chǎn)品相關(guān)的細(xì)節(jié)信息。

其使用壽命是在每天進(jìn)行十次全盤寫入的情況下正常運(yùn)行五年，這款半高度、半長度閃存卡主要適用于高端企業(yè)級服務(wù)器等主機(jī)設(shè)備。

三星SM1715 3D V-NAND NVMePCIe SSD

那么與其它PCIe閃存卡相比，這款3D V-NAND產(chǎn)品到底擁有怎樣的市場定位呢?

首先，它在存儲容量方面還無法力壓群雄。HGST的FlashMax II存儲容量高達(dá)4.8TB，不過其性能表現(xiàn)卻有所不及——隨機(jī)讀取/寫入IOPS分別為26萬9千與5萬1千，每秒讀取/寫入傳輸能力則分別為2.6GB與0.9GB。HGST為其新一代FlashMax II帶來更為出色的速度表現(xiàn)，隨機(jī)讀取IOPS可達(dá)到53萬1千，但存儲容量卻相應(yīng)下降至2.2TB。

SanDisk (Fusion-io)所打造的ioDrive 2 Duo擁有2.4TB存儲容量，提供70萬隨機(jī)讀取IOPS(512字節(jié)數(shù)據(jù)塊)與每秒3GB連續(xù)讀取與寫入傳輸帶寬。Atomic SX300的存儲容量則為6.4TB，雖然21萬5千與30萬的隨機(jī)讀取/寫入IOPS仍遜于三星新產(chǎn)品、但兩項(xiàng)數(shù)據(jù)明顯更為平均。

英特爾、美光、希捷以及東芝的PCIe SSD產(chǎn)品則一方面容量落后，另一方面在速度上也普遍不敵三星新品。要與這位來自韓國的電子巨頭對抗，他們顯然需要對自己的產(chǎn)品線進(jìn)行一番更新。

根據(jù)我們的預(yù)期，這些存儲產(chǎn)品供應(yīng)商未來將陸續(xù)投身于NVMe這一強(qiáng)勢陣營。

三星電子公司內(nèi)存產(chǎn)品營銷事務(wù)副總裁JeehoBaek在一份聲明中指出：“三星計(jì)劃在未來為基于V-NAND技術(shù)的SSD產(chǎn)品帶來更出色的性能表現(xiàn)、存儲密度與可靠性水平。”