HGST今日向市場同時投入兩顆重磅炸彈——盡管磁盤與閃存皆有提及，但最令人震驚的無疑還是這塊單盤容量高達(dá)10TB的磁盤驅(qū)動器。

要理解這款新產(chǎn)品的重大意義，我們先要了解與之相關(guān)的時代背景。時至今日，全球數(shù)據(jù)總量每兩年就會翻一番，而互聯(lián)網(wǎng)連接能力也在快速推進(jìn)至非IT設(shè) 備之上（也就是物聯(lián)網(wǎng)概念）——這一切促使企業(yè)積極利用分析手段挖掘蘊(yùn)藏在數(shù)據(jù)當(dāng)中的有價值信息以從而改進(jìn)自身運(yùn)營效率。有鑒于此，當(dāng)下用戶對于數(shù)據(jù)訪問 速度的需求也變得空前高漲。在這樣的時代背景下，HGST希望能夠?qū)⒆陨硭茉斐梢患揖C合性數(shù)據(jù)存儲組件供應(yīng)商，其業(yè)務(wù)范圍涵蓋磁盤、SSD、PCIe閃存 產(chǎn)品外加服務(wù)器SAN硬件與軟件。

在相繼收購了sTec、Velobit以及Virident之后，西數(shù)已經(jīng)獲得了相當(dāng)可觀的閃存技術(shù)資產(chǎn)組合，并將這些成果納入到其 Ultrastar SSD業(yè)務(wù)當(dāng)中。目前該公司正在積極將這些技術(shù)進(jìn)行融合、集成與調(diào)整，而且同時也進(jìn)一步將氦氣填充式驅(qū)動器作為這一輪市場沖擊計劃的主打方案。

HGST在公告中指出：

- HGST將推出8TB氦氣填充式驅(qū)動器與磁盤技術(shù)路線圖，其存儲密度遠(yuǎn)超市面上其它任何一家磁盤供應(yīng)商——此處明顯是指希捷——并將在未來進(jìn)一步發(fā)售10TB驅(qū)動器。

- 新的PCIe SSD產(chǎn)品及戰(zhàn)略NAND聯(lián)盟合作關(guān)系將確保存儲芯片供應(yīng)。

- HGST設(shè)備及軟件將提供服務(wù)器SAN支持能力。

- 利用收購Virident(FlashMax)、sTec以及Velobit等廠商所獲得的技術(shù)成果創(chuàng)建新的硬件及軟件系統(tǒng)，并從零開始拓展其業(yè)務(wù)市場。

HGST總裁Mike Cordano在一篇博文中指出：“我們正引領(lǐng)著下一波浪潮，旨在構(gòu)建起具備更高效率標(biāo)準(zhǔn)及可靠性水平的下一代數(shù)據(jù)中心，從而幫助企業(yè)用戶以更為快捷的方 式獲取大量數(shù)據(jù)、并通過從中提取信息實現(xiàn)更為卓越的業(yè)務(wù)價值。……我們推出的新型解決方案在設(shè)計層面將幫助用戶管理日益擴(kuò)大的數(shù)據(jù)總量、速度需求、數(shù)據(jù)類 型并在一切皆聯(lián)網(wǎng)的背景下為數(shù)據(jù)帶來前所未有的理想壽命。”

磁盤方案一覽

HGST的原有氦氣填充式磁盤驅(qū)動器He6最高容量為6TB，采用其HelioSeal技術(shù)。很明顯這一水平已經(jīng)被希捷方面的8TB磁盤所超越，不 過HGST有意借此次新產(chǎn)品發(fā)布一雪前恥——其第二代氦氣填充磁盤驅(qū)動器He8的存儲容量達(dá)8TB。而且根據(jù)HGST方面的說法，新方案能夠降低整體存儲 系統(tǒng)的物理占用空間與碳排放水平。換言之，其能夠帶來更低功耗、緩和冷卻要求且所占空間比容量更低的空氣填充式驅(qū)動器更小。相對于上一代He6，第二代方 案能夠?qū)�單盤存儲容量提升33%、所需功耗水平卻同時下降23%。

由于新一代磁盤驅(qū)動器產(chǎn)品同時提供6TB與8TB兩種方案選擇，可以斷言其將徹底取代原有的第一代He6。

HGST還發(fā)出全面通告，稱“這套HelioSeal平臺將被用于HGST未來的所有高容量企業(yè)級磁盤驅(qū)動器產(chǎn)品當(dāng)中。”

那么作為HGST現(xiàn)有驅(qū)動器所采用的垂直式磁記錄（簡稱PMR）技術(shù)的后續(xù)解決方案，HAMR（即熱輔助磁記錄）這種成本高昂的高密度存儲機(jī)制又將 走向何處？目前還沒有任何與之相關(guān)的消息，但疊瓦式磁性記錄（簡稱SMR）——即利用重疊排列機(jī)制在單一磁盤碟片上部署更多磁軌，從而提高磁盤容量——已 經(jīng)有所動作，HGST公司宣布將推出一款10TB SMR氦氣填充式驅(qū)動器產(chǎn)品。

根據(jù)HGST的說法，這款驅(qū)動器擁有全業(yè)界最低的每TB使用成本與每TB功耗水平，且其技術(shù)將“作為未來各類擴(kuò)展技術(shù)的基礎(chǔ)機(jī)制，這使得HGST步 入發(fā)展快車道、從而為現(xiàn)有及未來的設(shè)計方案帶來更出色的存儲容量表現(xiàn)。”不過HGST并未在公告中提及該驅(qū)動器產(chǎn)品的具體名稱。根據(jù)我們的推斷，這款產(chǎn)品 有可能被最終定名為He10。

由于同非SMR驅(qū)動器相比，SMR驅(qū)動器在對軌道進(jìn)行重新寫入時、其速度表現(xiàn)相對較慢，因此這類產(chǎn)品可能會被用于配合高度關(guān)注讀取速度、但不太在意寫入速度的冷門存儲應(yīng)用程序。
HGST 還公布了一款6TB空氣填充式驅(qū)動器，也就是Ultrastar 7K6000，該產(chǎn)品采用垂直磁性記錄技術(shù);可以肯定的是，該驅(qū)動器并未采用疊瓦式設(shè)計，而且我們估計其設(shè)計標(biāo)準(zhǔn)為7200轉(zhuǎn)。HGST并沒有公布He8 驅(qū)動器的具體轉(zhuǎn)速。這是UltraStar 7K技術(shù)的第七代解決方案。

HGST宣稱，該驅(qū)動器能夠提供“業(yè)界最出色的7200轉(zhuǎn)驅(qū)動器性能表現(xiàn)以及最理想的每GB使用成本”。

HGST還在著手開發(fā)一款以太網(wǎng)接入磁盤驅(qū)動器，但截至目前還沒有更多新消息可供參考。

閃存方案一覽

HGST宣布Ultrastar SN100 PCIe SSD將采用NVMe接口并搭載東芝NAND芯片。該產(chǎn)品的最大存儲容量為3.2TB，外形尺寸則采用2.5英寸半高、半長設(shè)計方案。

NVMe擴(kuò)展機(jī)制將允許外部軟件接入到SN100的閃存管理體系當(dāng)中，從而實現(xiàn)閃存使用與管理效果優(yōu)化。根據(jù)HGST方面的說法，其將“擁有兩倍于市面上其它低容量產(chǎn)品的性能表現(xiàn)與同等級別的使用壽命優(yōu)勢。”

HGST閃存平臺部門銷售負(fù)責(zé)人兼總經(jīng)理Mike Gustafson在預(yù)先準(zhǔn)備的發(fā)言中指出：“我們期待著全新Ultrastar SN100系列能夠憑借著領(lǐng)先于業(yè)界的性能表現(xiàn)在競爭中脫穎而出，其中包括穩(wěn)定的低訪問延遲以及企業(yè)級耐用性優(yōu)勢。”

時至今日，穩(wěn)定可靠的NAND芯片供應(yīng)源對于閃存存儲組件及設(shè)備供應(yīng)商來說已經(jīng)成為獲得市場成功的必要前提，這一因素在美光、三星以及 SanDisk等閃存代工廠商相繼親自投身閃存組件與設(shè)備銷售之后顯得更為關(guān)鍵�？紤]到這一點，HGST決定由東芝為其SN100產(chǎn)品提供閃存芯片。

Gustafson就此作出評述：“我們……對于自身與東芝之間的合作關(guān)系表示贊賞，并期待能夠在即將到來的新的一年中將雙方合作推向新的高度。”

HGST過去一直依賴于英特爾的技術(shù)方案來開發(fā)自身的原始Ultrastar SSD產(chǎn)品線，并不斷擴(kuò)展這一合作關(guān)系。在未來三年中，該公司還將繼續(xù)利用英特爾NAND閃存技術(shù)打造自己的企業(yè)級SAS SSD產(chǎn)品。這些產(chǎn)品將由HGST公司專門負(fù)責(zé)銷售。

所以，HGST并沒有承諾單純由一家供應(yīng)商為其提供NAND芯片組件。

HGST已經(jīng)在今年八月的閃存記憶體峰會上公開演示了其PCIe Phase-Change Memory SSD產(chǎn)品以及低延遲接口。根據(jù)我們的理解，這款產(chǎn)品將成為HGST潛在PCIe SSD路線圖規(guī)劃中的組成部分。