比NAND閃存更快的存儲(chǔ)技術(shù)在很長(zhǎng)時(shí)間以來(lái)都沒(méi)有用在智能手機(jī)和數(shù)據(jù)中心上，但是已經(jīng)有人在默默的做準(zhǔn)備以期未來(lái)能更好的利用它。

在本周舉行的閃存峰會(huì)上，西數(shù)旗下的HGST就展示了被稱作全球最快的固態(tài)硬盤，這是一項(xiàng)先進(jìn)技術(shù)成果展示。

它跟別的SSD一樣可以插到服務(wù)器的PCIe插槽，它不是什么新的產(chǎn)品，它是一個(gè)展示低延遲接口的平臺(tái)，是該公司開發(fā)的并且看做是大勢(shì)所趨的固態(tài)存儲(chǔ)媒介的未來(lái)形態(tài)。它在服務(wù)器的Linux驅(qū)動(dòng)和固態(tài)硬盤內(nèi)置軟件上實(shí)驗(yàn)了通信協(xié)議。

相變存儲(chǔ)是其閃存介質(zhì)的核心，是一項(xiàng)可以讓位字節(jié)數(shù)據(jù)被主機(jī)系統(tǒng)多次使用并且速度比NAND更快的新興技術(shù)，日立公司固態(tài)硬盤產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁烏爾里希·漢森介紹道。NAND閃存在70微秒內(nèi)對(duì)數(shù)據(jù)請(qǐng)求作出響應(yīng)，而PCM只需要大約1微秒，但是還需要兩到三年的研發(fā)時(shí)間來(lái)增加密度并且變得更加便宜，從而獲得更好的競(jìng)爭(zhēng)力。

至少還有兩項(xiàng)別的技術(shù)也在努力做到比閃存更快、更具有耐用性。那就是RRAM(電阻性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)和MRAM(磁RAM)。雖然有像PCM這樣的低延遲技術(shù)，但是當(dāng)前在系統(tǒng)和內(nèi)存之間的接口并不會(huì)受益于此。即使是新興的NVMe接口正在成為閃存的標(biāo)準(zhǔn)化高速連接，也將會(huì)取代新一代的媒介加速器成為瓶頸。

“之所以選擇相變存儲(chǔ)那是因?yàn)樗鼘?duì)于我們可用并且有合適的架構(gòu)” 漢森說(shuō)“我們真的不只是押注哪項(xiàng)新興的技術(shù)將會(huì)成為主流”。

相變存儲(chǔ)把數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在類似玻璃化合物的名為硫?qū)倩�物的容器中，�?dāng)加入電壓之后它可以從氣態(tài)轉(zhuǎn)化為晶體形態(tài)做出反應(yīng)。當(dāng)然他們還在嘗試添加一個(gè)液體狀態(tài)，這一中間狀態(tài)用來(lái)表示0和1的二進(jìn)制數(shù)據(jù)。更多的存儲(chǔ)介質(zhì)狀態(tài)可以讓單位空間攜帶更多的信息。

（圖片來(lái)源于網(wǎng)絡(luò)）

HGST的接口運(yùn)行于標(biāo)準(zhǔn)PCIe的頂端，可以在很長(zhǎng)時(shí)間內(nèi)滿足閃存到電腦處理器的數(shù)據(jù)傳輸速度需求。高級(jí)接口主要涉及到一個(gè)命令如何傳輸和初始化，服務(wù)器又是如何知道傳輸?shù)耐瓿�。HGST并沒(méi)有明確要打敗NVMe的意思也不一定會(huì)公開他標(biāo)準(zhǔn)的低延遲技術(shù)。

同樣是在在閃存峰會(huì)上，HGST介紹了FlashMAX III PCIe加速卡，第三代服務(wù)器閃存卡可加速服務(wù)器和一些應(yīng)用程序，ServerCache，用軟件把SSD做成緩存的緩存池。ServerCache是HGST收購(gòu)Velobit之后獲得的一項(xiàng)減少數(shù)據(jù)量、提高效率的技術(shù)。FlashMAX III將于本季度正式發(fā)售，ServerCache提供30天的試用下載，每臺(tái)物理機(jī)器上使用都需要995美元。