三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量投產(chǎn)全球第一款采用3D TSV立體硅穿孔封裝技術(shù)打造的DDR4內(nèi)存條，單條容量高達(dá)64GB。

這是主要面向服務(wù)器應(yīng)用的RDIMM條子，上有多達(dá)36顆DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，每一個都封裝了4個4Gb(512MB) DDR4 DRAM芯片，單顆容量2GB，并采用三星先進(jìn)的2xnm工藝制造，不過三星并未公布頻率、電壓等規(guī)格。

如此高的密度要感謝TSV技術(shù)。這是一種穿透硅晶圓或芯片的垂直互連方式，可將多個芯片堆疊起來，提升容量和性能。

三星在2010年的4xnm 8GB內(nèi)存上就首次使用了TSV，2011年又完成了3xnm 32GB，現(xiàn)在是第一次用于DDR4。

事實上，隨著半導(dǎo)體集成度的提高，很多地方都紛紛開始了3D堆疊，三星此前就宣布已經(jīng)投產(chǎn)第二代3D V-NAND立體閃存，創(chuàng)下存儲密度新高。