近日，剛剛宣布完成新一輪融資的閃存存儲(chǔ)廠商Memblaze，在美國硅谷的Santa Clara參加了全球最為知名的閃存峰會(huì)Flash Memory Summit，展出了其創(chuàng)新性的閃存技術(shù)及產(chǎn)品解決方案。

本次閃存存儲(chǔ)峰會(huì)上，Memblaze的CTO，同時(shí)也是創(chuàng)始人之一的路向峰，在論壇上做了演講，著重向業(yè)內(nèi)展示了ECC糾錯(cuò)、全區(qū)均衡磨損、MemRAID、隨機(jī)化、數(shù)據(jù)重讀、垃圾回收等六大創(chuàng)新性閃存技術(shù)，并與參會(huì)嘉賓共同探討了如何在產(chǎn)品的不同層級(jí)，應(yīng)用多樣化技術(shù)保證產(chǎn)品穩(wěn)定性并優(yōu)化性能。

此次峰會(huì)上，備受矚目的莫過于Memblaze的全區(qū)均衡磨損技術(shù)(Global Wear-leveling)。據(jù)悉，該技術(shù)運(yùn)用在閃存產(chǎn)品之后，對(duì)于一定時(shí)間內(nèi)沒有發(fā)生任何數(shù)據(jù)改變的靜態(tài)模塊，系統(tǒng)會(huì)將其上的冷數(shù)據(jù)搬遷到使用率較高的模塊上，而讓熱點(diǎn)數(shù)據(jù)優(yōu)先使用這些使用率低的單元，由此平衡熱點(diǎn)數(shù)據(jù)寫入，避免某一閃存物理塊過度使用造成損壞，從而可以將FlashFlash產(chǎn)品的使用壽命的技術(shù)延長4倍以上，顯著降低客戶的采購成本及總體擁有成本(TCO)。

在展覽展示區(qū)，Memblaze首次曝光了其最新的閃存產(chǎn)品FlashRAID和PBlazeIV，并期待與國際伙伴達(dá)成深度合作。據(jù)悉，F(xiàn)lashRAID是一款面向企業(yè)級(jí)客戶的高可靠性產(chǎn)品及解決方案，采用PCIe3.0接口，支持最多12個(gè)NVMe SSD閃存盤，單盤容量可高達(dá)2TB。PBlazeIV是Memblaze應(yīng)對(duì)全球標(biāo)準(zhǔn)化而推出的首款NVMe接口閃存產(chǎn)品，支持熱插拔，采用NVMe1.0協(xié)議，PCIe3.0*8接口，最大容量可達(dá)6.4TB，順序讀速度最大可達(dá)4.5GB/s。

“客戶關(guān)注的不僅僅是性能和價(jià)格，可靠性對(duì)于企業(yè)來說是至關(guān)重要的。每年，閃存產(chǎn)品由于壞塊引起的報(bào)廢，給客戶帶來了巨大損失。”北美區(qū)商務(wù)副總John Baskett介紹“在閃存技術(shù)越來越發(fā)達(dá)的今天，可靠性依然是企業(yè)客戶最為關(guān)注的特性，尤其對(duì)于全閃存數(shù)據(jù)中心來說，可靠性更為主要。Memblaze為客戶提供高性能、高性價(jià)比產(chǎn)品的同時(shí)，更為關(guān)注產(chǎn)品可靠性，持續(xù)降低客戶數(shù)據(jù)中心的建設(shè)成本。