原標題為：《三星：利用3-bit垂直NAND成功縮減編程時間》

韓國閃存代工巨頭三星已經(jīng)在本屆閃存記憶體峰會上宣布，將把3-bit（即TLC）閃存引入其V-NAND產(chǎn)品線。

該產(chǎn)品采用TLC NAND 32層設(shè)計，作為三層存儲單元、TLC與當前企業(yè)級NAND產(chǎn)品中所使用的MLC或者稱為每單元2 bit的二層單元設(shè)計完全不同。

TLC NAND在數(shù)據(jù)訪問速度上無法與MLC相媲美、使用壽命也有所妥協(xié)，其全盤寫入次數(shù)只能達到幾百次。也就是說，它需要與復雜的控制器技術(shù)相匹配才能獲得理想的使用壽命。

我們并沒有參加三星的展示活動，但根據(jù)一篇相關(guān)報道，三星宣稱與普通平面TLC芯片相比，其TLC V-NAND能夠?qū)⒕幊虝r間降低達50%、運轉(zhuǎn)功耗也將縮減約四成。

三星方面指出，TLC 32層V-NAND SSD產(chǎn)品將很快投放市場，其技術(shù)成果將一舉突破10納米制程工藝這一制造瓶頸。我們對于新推出的V-NAND將采用10納米單元設(shè)計表示懷疑，也許30納米級別還更為可信。

據(jù)推測，新產(chǎn)品將被命名為850 EVO。結(jié)合我們掌握的情況，“很快”面世意味著其上市時間將在今年年底之前，甚至很可能搶在十一月份之前。這款設(shè)備能夠提供1TB甚至更高——也許是4TB——存儲容量，而且適合處理長效存儲內(nèi)容，除非三星公司能夠真正通過管理控制機制在每天寫滿全盤的條件下使其具備三到五年的使用壽命。

三星也在努力降低其SSD新品的寫入延遲，前提是訪問主機能夠與該SSD的控制器配合起來實現(xiàn)寫入優(yōu)化目標。根據(jù)該公司的說法，要想讓這套方案進入主流市場、他們還需要為其打造標準化接口。