近日，索尼和鎂光公司宣布其研發(fā)小組開發(fā)出高速、大容量ReRAM（可變電阻式存儲(chǔ)器），該類型存儲(chǔ)器填補(bǔ)了DRAM與NAND之間的性能鴻溝，有望提高整體系統(tǒng)性能。

新產(chǎn)品的容量為16Gbit，超過(guò)了目前的DRAM，而且具備超過(guò)NAND閃存的高速性。數(shù)據(jù)傳輸速度在讀取時(shí)為1GB/秒，寫入時(shí)為200MB/秒，訪問(wèn)等待時(shí)間在讀取時(shí)為2μs，寫入時(shí)為10μs。採(cǎi)用1GB/秒的DDR接口以及與DRAM接近的8存儲(chǔ)體儲(chǔ)存器架構(gòu)，通過(guò)并聯(lián)運(yùn)行實(shí)現(xiàn)了高速化。

據(jù)悉，電阻變化元件採(cǎi)用CuTe膜和絕緣膜的雙層構(gòu)造，通過(guò)銅離子的移動(dòng)在元件內(nèi)部形成導(dǎo)電橋來(lái)改變電阻值。儲(chǔ)存器單元由一個(gè)選擇晶體管和電阻變化元件構(gòu)成。採(cǎi)用27nm工藝、3層銅布線技術(shù)制造，單元面積為4374nm2，芯片面積為168mm2。