有一件事可能很多人不知道，Intel成立初期不是做微處理器的，而是主營SRAM、DRAM等存儲芯片，只不過后來受到日本廠商的沖擊，才果斷轉(zhuǎn)型，結(jié)果成就了一番霸業(yè)。

幾番波折之后，Intel現(xiàn)在又有點重操舊業(yè)的架勢。Haswell處理器中有部分集成了多達128MB eDRAM嵌入式緩存，既能輔助核顯，也能作為系統(tǒng)四級緩存。與它相關(guān)的資料正在陸續(xù)披露，ISSCC大會上又進一步公開了更深入的細(xì)節(jié)。

芯片專家ChipWorks則從底層晶體管的角度，分析對比了Intel的這種eDRAM，發(fā)現(xiàn)其架構(gòu)和其他同類技術(shù)有很大不同。

IBM已經(jīng)使用eDRAM很多年了，45nm時代后更是成為Power處理器的標(biāo)配，現(xiàn)在已經(jīng)進入了22nm，但尚未有實際產(chǎn)品問世。

可以從憑借幾個例子一探究竟：

IBM 32nm Power7+里邊集成的eDRAM

臺積電、瑞薩(NEC)也在為游戲機打造的芯片里使用eDRAM，比如微軟Xbox、任天堂Wii，都是更傳統(tǒng)的DRAM堆棧加玻璃杯形電容�！　�

不同的是，臺積電采用了CUB(cell-under-bit)堆棧，位線(bitline)在電容之上，瑞薩則是反過來的COB(cell-over-bit)。

 臺積電65nm eDRAM(微軟Xbox GPU)

瑞薩45nm eDRAM(任天堂Wii GPU)