2013年對(duì)于閃存技術(shù)來說是奇妙的一年，它在2013年獲得了巨大的開發(fā)成果。

這是閃存技術(shù)積極發(fā)展的一年，閃存單元尺寸大幅減小，純閃存陣列的數(shù)量越來越多，很多閃存廠商被收購(gòu)，還有很多閃存廠商經(jīng)過IPO或倒閉破產(chǎn)后又被打回原形，閃存/磁盤混合陣列供應(yīng)商賺得盆滿缽滿。

想跟上這個(gè)潮流趨勢(shì)并融入整個(gè)市場(chǎng)大格局就象是想越過尼加拉瓜大瀑布喝水一樣。

從大批的產(chǎn)品和技術(shù)消息中還可以看出一些東西。這說明市場(chǎng)已經(jīng)開始普遍接受這樣一種觀點(diǎn)，即訪問I/O增強(qiáng)型隨機(jī)數(shù)據(jù)最好還是利用閃存而非傳統(tǒng)硬盤來完成，而且純閃存陣列肯定是連網(wǎng)存儲(chǔ)高頻隨機(jī)數(shù)據(jù)的最佳載體。 對(duì)于傳輸數(shù)據(jù)來說，傳統(tǒng)硬盤與閃存一樣好用，而且在單位容量?jī)r(jià)格上要便宜得多。傳統(tǒng)硬盤陣列最適合用來儲(chǔ)存近線、訪問頻率低的數(shù)據(jù)和大型文件。
 

蘋果的MacBook Air已經(jīng)配備了閃存

市場(chǎng)一致認(rèn)為，速度超快、外形輕薄的筆記本電腦需要閃存來實(shí)現(xiàn)最佳性能，平板電腦也是如此。但是也可以使用2.5英寸的混合硬盤，廠商們已經(jīng)開始建議用戶們配備混合硬盤，用閃存儲(chǔ)存訪問頻率高的數(shù)據(jù)，而用價(jià)格相對(duì)低廉、大容量的傳統(tǒng)硬盤儲(chǔ)存訪問頻率低的數(shù)據(jù)。

我們將在隨后的文章中討論商業(yè)方面的事務(wù)，但是現(xiàn)在只談閃存技術(shù)研發(fā)方面的事情。

沒有太多的三層單元（TLC）

我們?cè)?013年并沒有看見三層單元（TLC）NAND被廣泛應(yīng)用到企業(yè)應(yīng)用之中，TLC閃存的速度比較慢，寫耐久程度相當(dāng)短。閃存生產(chǎn)廠比較喜歡生產(chǎn)單級(jí)單元和多級(jí)單元（SLC和MLC）產(chǎn)品，因?yàn)檫@些產(chǎn)品的需求更大，投資回報(bào)率相對(duì)更高。 TLC閃存仍然主要被應(yīng)用于U盤、照相機(jī)閃存存儲(chǔ)卡等應(yīng)用。

現(xiàn)在閃存市場(chǎng)還有一個(gè)變化趨勢(shì)，即由2X（29納米至20納米）技術(shù)工藝向1X（19納米至10納米）技術(shù)工藝升級(jí)。 例如，東芝現(xiàn)在就在建設(shè)19納米生產(chǎn)線。NAND產(chǎn)品的外形尺寸越小，每塊硅片上能夠安裝的NAND閃存芯片就越多，從而降低單位存儲(chǔ)容量的成本。 然而這個(gè)趨勢(shì)還沒有在整個(gè)行業(yè)內(nèi)發(fā)生，美光科技正在向20納米邁進(jìn)，預(yù)計(jì)今年會(huì)開始使用16納米工藝試生產(chǎn)。

逐步提高到3D NAND

業(yè)內(nèi)人士之前預(yù)計(jì)會(huì)發(fā)生但是到現(xiàn)在為止都還沒有發(fā)生的一種情況是：非易失性技術(shù)將取代閃存技術(shù)。業(yè)內(nèi)人士普遍認(rèn)為，閃存技術(shù)也許無法在15納米或更先進(jìn)的工藝條件下開發(fā)出能夠滿足寫耐久性要求的企業(yè)級(jí)閃存存儲(chǔ)產(chǎn)品。 相變存儲(chǔ)（PCM）和各種阻抗RAM比如惠普的Memristor都仍是未來的技術(shù)，3D NAND技術(shù)通過在一塊閃存芯片上安裝更多的閃存層級(jí)而提高了閃存的容量。

3D NAND原理圖

美光科技預(yù)計(jì)3D NAND生產(chǎn)樣品會(huì)在2014年中期之前出貨，最早可能會(huì)在4月份。但是量產(chǎn)至少要等到2015年才有可能實(shí)現(xiàn)。三星已經(jīng)發(fā)布了其3D-VNAND技術(shù)，但是今年可能無法投入實(shí)際生產(chǎn)，而且現(xiàn)在三星還沒有開始接受有關(guān)訂單。

Objective Analysis的分析師Jim Handy在其Memory Guy網(wǎng)站上發(fā)布了一系列3D NAND技術(shù)圖紙，分析了那項(xiàng)技術(shù)以及各家廠商的計(jì)劃。

固態(tài)硬盤迎頭趕上

固態(tài)硬盤在過去一年保持著穩(wěn)步地增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤技術(shù)越來越成熟，NAND密度的增長(zhǎng)使得這項(xiàng)技術(shù)能夠適用于越來越多的產(chǎn)品和價(jià)格區(qū)間，配備12Gbit/s SAS接口的產(chǎn)品也開始在市場(chǎng)上亮相了。

這里還有一些亮點(diǎn)：

• STec在1月份推出了一款2TB的SAS固態(tài)硬盤s840，

• 美光科技推出了很多固態(tài)硬盤產(chǎn)品，比如它升級(jí)了P400M SATA固態(tài)硬盤，給該產(chǎn)品配備了一個(gè)6Gbit/s的SAS接口。

• HGST在4月份推出了12Gbit/s SAS接口的SDD（SSD100MR）。

• HGST SSD 1000MR

• Plextor之前曾宣布它將在1月份的CES展會(huì)上展出一款TLC SSD，但是后來又在6月份放棄了那一計(jì)劃。

• SMART在5月份宣布推出了一款2TB的固態(tài)硬盤。

• 希捷在5月份宣布推出了一組3款固態(tài)硬盤，其中兩款配備6Gbit/s SATA接口，一款配備12Gbit/s SAS接口。

• 三星宣布推出一款1.6TB的固態(tài)硬盤，帶寬為3GB/s。

這都是一些循序漸進(jìn)的升級(jí)產(chǎn)品，沒有令人眼前一亮的重要升級(jí)。固態(tài)硬盤表現(xiàn)得頗有些不慍不火。