中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)：三星第五代閃存即將發(fā)布，二代Z-NAND成本將大幅降低
12月5日，在此間舉行的2017中國(guó)存儲(chǔ)峰會(huì)上，中國(guó)三星半導(dǎo)體華北區(qū)副總裁歐陽(yáng)基表示，三星第五代V-NAND閃存即將正式發(fā)布。但他沒(méi)有透露五代閃存的量產(chǎn)計(jì)劃。 據(jù)悉，第五代閃存堆棧超過(guò)了90層以上（96層），單晶最大容量達(dá)到1Tb，讀寫(xiě)速度...
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標(biāo)簽：V-NAND
周 冰