西部數(shù)據(jù)推出基于64層3D NAND的iNAND嵌入式閃存盤(pán)
2017年12月7日，西部數(shù)據(jù)在京宣布推出iNAND嵌入式閃存盤(pán) (EFD) ，該產(chǎn)品用到了西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù)，新型的智能iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤(pán)能夠提供卓越的...
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標(biāo)簽：UFS嵌入式閃存盤(pán)
2017年12月7日，西部數(shù)據(jù)在京宣布推出iNAND嵌入式閃存盤(pán) (EFD) ，該產(chǎn)品用到了西部數(shù)據(jù)的64層3D NAND技術(shù)和先進(jìn)的UFS與e.MMC接口技術(shù)，新型的智能iNAND 8521和iNAND 7550嵌入式閃存盤(pán)能夠提供卓越的...
朱 朋博