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共 522 篇文章

標簽:三星 第45頁

三星調(diào)查芯片生產(chǎn)線安全性 回應致癌的報道

4月16日消息,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子稱,它將展開獨立調(diào)查以便對有關芯片生產(chǎn)中使用的有毒物質(zhì)也許引起某些員工患癌癥的報道做出回應。 韓國的三星電子一直面臨一些社會組織和民權組織的壓力,要求它承擔這些事件的責任。在2000年年末之前一...

wanglinwanglin業(yè)界動態(tài)

李健熙:三星向日企學習 加強與中國合作

4月8日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子董事長李健熙日前表示,三星還要向日本企業(yè)學習,而與中國的合作也十分重要。 李健熙說:“在過去的幾年中,三星的表現(xiàn)可圈可點,但仍需要向日本企業(yè)學習。在許多方面,韓國和日本企業(yè)可以相互合作。&r...

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三星全球率先推出40納米級動態(tài)存儲芯片

據(jù)韓國《中央日報》報道,世界著名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態(tài)隨機存取記憶體)模塊,并計劃從4月開始生產(chǎn)該產(chǎn)品。 40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內(nèi)部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄,...

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三星推遲淘汰有害物質(zhì)遭環(huán)保組織抨擊

北京時間3月3日消息,據(jù)國外媒體報道,國際環(huán)保組織“綠色和平”(Greenpeace)周三對三星發(fā)起猛烈抨擊,指責三星食言,沒有恪守承諾淘汰電子產(chǎn)品中的有害物質(zhì)。 綠色和平表示,三星產(chǎn)品中含有的有害化學物質(zhì)溴化阻燃劑...

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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的2...

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三星9億美元與Rambus達成許可授權協(xié)議

據(jù)國外媒體今日報道,三星電子與內(nèi)存芯片制造商Rambus在上周二共同表示,已就雙方之間的所有爭議達成共識,Rambus授權三星在所有半導體產(chǎn)品使用其專利。 根據(jù)協(xié)議,三星將首先支付Rambus 2億美元,此后5年每個季度支付2500萬美元。...

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三星推出更高容量閃存產(chǎn)品

三星最新推出一款64GB的MoviNAND產(chǎn)品和32GB的microSD產(chǎn)品。 MoviNAND是一款封裝了一個MMC接口、閃存和控制器的內(nèi)置NAND閃存產(chǎn)品。64GB的moviNAND厚度為1.4毫米,它是由16個32納米32G 2位多級...

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三星發(fā)布時尚、堅固環(huán)保型系列外部硬盤驅(qū)動器

全球消費電子和信息技術領先廠商三星電子今日宣布推出外部硬盤驅(qū)動器新款G系列,該系列以綠色環(huán)保為其設計理念。新款G系列外部硬盤驅(qū)動器壯大了三星外部驅(qū)動器1.8英寸、2.5英寸和3.5英寸硬盤的產(chǎn)品組合陣容,專注于年輕人市場。是尋找高密度,高可...

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三星發(fā)布首款降低備用電能消耗的外部硬盤驅(qū)動

全球領先的數(shù)字消費電子和信息技術廠商三星電子今天宣布將在11月份發(fā)布全新款的3.5英寸外部硬盤驅(qū)動,STORY Station的備用電池耗電量將在一瓦特以下。所降低的備用電池耗電量完全符合歐盟即將針對備用能源規(guī)范而頒布的能源消費產(chǎn)品(Ene...

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