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共 520 篇文章

標(biāo)簽:三星 第45頁

三星全球率先推出40納米級動態(tài)存儲芯片

據(jù)韓國《中央日報》報道,世界著名存儲芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級32GB DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取記憶體)模塊,并計劃從4月開始生產(chǎn)該產(chǎn)品。 40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內(nèi)部電路的線幅縮小為40納米。芯片電路線幅越薄,...

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三星推遲淘汰有害物質(zhì)遭環(huán)保組織抨擊

北京時間3月3日消息,據(jù)國外媒體報道,國際環(huán)保組織“綠色和平”(Greenpeace)周三對三星發(fā)起猛烈抨擊,指責(zé)三星食言,沒有恪守承諾淘汰電子產(chǎn)品中的有害物質(zhì)。 綠色和平表示,三星產(chǎn)品中含有的有害化學(xué)物質(zhì)溴化阻燃劑...

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三星/海力士NAND閃存芯片邁向20nm級工藝

繼Intel、美光上個月宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存芯片后,韓國兩大存儲廠三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工藝NAND閃存投產(chǎn)計劃。 海力士將采用26nm工藝生產(chǎn)容量為64Gb的NAND閃存芯片,這和Intel、美光首批投產(chǎn)的2...

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三星9億美元與Rambus達(dá)成許可授權(quán)協(xié)議

據(jù)國外媒體今日報道,三星電子與內(nèi)存芯片制造商Rambus在上周二共同表示,已就雙方之間的所有爭議達(dá)成共識,Rambus授權(quán)三星在所有半導(dǎo)體產(chǎn)品使用其專利。 根據(jù)協(xié)議,三星將首先支付Rambus 2億美元,此后5年每個季度支付2500萬美元。...

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三星推出更高容量閃存產(chǎn)品

三星最新推出一款64GB的MoviNAND產(chǎn)品和32GB的microSD產(chǎn)品。 MoviNAND是一款封裝了一個MMC接口、閃存和控制器的內(nèi)置NAND閃存產(chǎn)品。64GB的moviNAND厚度為1.4毫米,它是由16個32納米32G 2位多級...

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三星發(fā)布時尚、堅固環(huán)保型系列外部硬盤驅(qū)動器

全球消費(fèi)電子和信息技術(shù)領(lǐng)先廠商三星電子今日宣布推出外部硬盤驅(qū)動器新款G系列,該系列以綠色環(huán)保為其設(shè)計理念。新款G系列外部硬盤驅(qū)動器壯大了三星外部驅(qū)動器1.8英寸、2.5英寸和3.5英寸硬盤的產(chǎn)品組合陣容,專注于年輕人市場。是尋找高密度,高可...

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三星發(fā)布首款降低備用電能消耗的外部硬盤驅(qū)動

全球領(lǐng)先的數(shù)字消費(fèi)電子和信息技術(shù)廠商三星電子今天宣布將在11月份發(fā)布全新款的3.5英寸外部硬盤驅(qū)動,STORY Station的備用電池耗電量將在一瓦特以下。所降低的備用電池耗電量完全符合歐盟即將針對備用能源規(guī)范而頒布的能源消費(fèi)產(chǎn)品(Ene...

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三星看好PCM內(nèi)存潛力 有望取代現(xiàn)有閃存

三星表示,PCM(相變內(nèi)存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內(nèi)存替代現(xiàn)有的移動存儲形式。 多年來,半導(dǎo)體廠商一直在致力研究PCM內(nèi)存,不過,它一直處于試驗(yàn)階段。PCM內(nèi)存當(dāng)中包含有類似玻璃的材料,當(dāng)其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變...

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