
了解新型存儲技術PCM與MRAM
NAND閃存是一種非易失性存儲技術,它不需要持續(xù)供電即可保持數(shù)據,小型化和低功耗特性使得它成為智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等便攜設備的理想存儲解決方案。伴隨不斷進步的制造技術帶來逐漸降低的數(shù)據存儲成本,以及相對傳統(tǒng)存儲更快的讀寫速度和更低的...
NAND閃存是一種非易失性存儲技術,它不需要持續(xù)供電即可保持數(shù)據,小型化和低功耗特性使得它成為智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機等便攜設備的理想存儲解決方案。伴隨不斷進步的制造技術帶來逐漸降低的數(shù)據存儲成本,以及相對傳統(tǒng)存儲更快的讀寫速度和更低的...
本周二,在巴黎舉辦的IEEE國際內存研討會上,IBM研究院宣布其科學家在相變內存(PCM)技術上取得了重大突破。2011年這也是第一次,科學家能夠采用PCM在每單元真正實現(xiàn)存儲3字節(jié)。這項內存突破可能提供快速簡單地存儲,尤其有利于移動和物聯(lián)...
DOSTOR存儲在線3月14日國際報道:相變存儲(Phase-change memory,PCM)的地位似乎正在發(fā)生變化,以前它是一種發(fā)展前景光明的新生技術,現(xiàn)在馬上要面臨眾多的替代技術。 相變存儲是一種涉及到內存單元的硫族化物層的材料狀態(tài)...
Henry Newman是Instrumental Inc.的首席技術官,也是企業(yè)存儲論壇的常駐作者。他是一位行業(yè)咨詢師,在高性能計算和存儲領域擁有28年的工作經驗。 數(shù)據存儲已經成為企業(yè)應用中的薄弱環(huán)節(jié)。如果沒有存儲廠商的齊心協(xié)力,這個技...
英特爾和Numonyx發(fā)布了一個新的方式來建立垂直堆棧的相變內存而不會失去性能。( 《英特爾宣稱PCM技術取得突破 最小5納米》 ) 相變存儲器(PCM)是一個實驗性的內存技術,其具有非易失性,位尋址的性能,這就不同于閃存。PCM可以以更小...
三星表示,PCM(相變內存)所具有的體積小及節(jié)電優(yōu)勢可能讓這種內存替代現(xiàn)有的移動存儲形式。 多年來,半導體廠商一直在致力研究PCM內存,不過,它一直處于試驗階段。PCM內存當中包含有類似玻璃的材料,當其中的原子重新排列,它的狀態(tài)就會發(fā)生改變...
德國芯片制造商英飛凌(Infineon)公司周一表示,它已與IBM和中國臺灣地區(qū)的宏旺電子(Macronix International)啟動了一個聯(lián)合研究計劃,探討一項被稱作PCM(相變存儲器,pha...