分析師：2011年NAND閃存市場(chǎng)將增長(zhǎng)16%
根據(jù)Trendforce研究部門(mén)DRAMexchange稱(chēng)，2011年NAND閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格相比2010年將下降35%，但是龐大的數(shù)據(jù)增長(zhǎng)將導(dǎo)致NAND閃存銷(xiāo)售收入增長(zhǎng)16%達(dá)到215億美元。 NAND閃存的制造工藝技術(shù)將從2010年的...
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zhabin智能算力 集邦科技：明年NAND閃存價(jià)格將下跌35%
臺(tái)灣媒體報(bào)道，集邦科技發(fā)布近日?qǐng)?bào)告稱(chēng)，明年全球閃存芯片銷(xiāo)售額將達(dá)到215億美元，同比上漲16%，但是其平均價(jià)格將同比下降35%。 集邦科技稱(chēng)，新款智能機(jī)、平板機(jī)的發(fā)布以及春節(jié)期間的采購(gòu)將緩解明年一季度閃存市場(chǎng)受到的季節(jié)性銷(xiāo)售因素影響。到二季...
liukai智能算力 第三季NAND閃存出貨量增長(zhǎng) 平均售價(jià)下滑
11月10日國(guó)際報(bào)道 研究機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）旗下研究部門(mén)DRAMeXchange報(bào)告顯示，第三季度NAND閃存廠商總營(yíng)收51億美元，較第二季度47.6億美元增長(zhǎng)6.9%。盡管廠商采取不同定價(jià)戰(zhàn)略，但部分廠商采取積極的降價(jià)促...
wanglin智能算力 三大芯片廠商合作開(kāi)發(fā)10納米級(jí)NAND技術(shù)
DOSTOR存儲(chǔ)在線(xiàn)11月2日國(guó)際報(bào)道：英特爾、三星和東芝已經(jīng)組成聯(lián)盟，它們將聯(lián)合開(kāi)發(fā)10納米級(jí)半導(dǎo)體產(chǎn)品，以生產(chǎn)容量更高的DRAM和閃存產(chǎn)品，比如400GB的閃存芯片和速度更快的處理器。 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三家廠商打算在不久之后組成聯(lián)盟，它...
liukai智能算力 EMC企業(yè)級(jí)閃存驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用三星NAND
DOSTOR存儲(chǔ)在線(xiàn)10月8日國(guó)際報(bào)道：EMC在企業(yè)級(jí)閃存驅(qū)動(dòng)器中使用三星NAND，三星繼STEC之后成為EMC閃存驅(qū)動(dòng)器的第一個(gè)二級(jí)來(lái)源。 傳統(tǒng)上，像EMC這樣的存儲(chǔ)陣列廠商喜歡有第二個(gè)技術(shù)來(lái)源，比如磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，不喜歡依賴(lài)于單個(gè)廠商。因此...
liukai智能算力 8月下旬NAND Flash閃存合約均價(jià)下跌1%到7%
9月3日消息，據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，集邦科技(TRENDFORCE)下屬研究部門(mén)DRAMeXchange表示，8月下旬NAND Flash閃存的合約均價(jià)部分持平，部分下跌1%到7%。 報(bào)道稱(chēng)，目前存儲(chǔ)卡及優(yōu)盤(pán)客戶(hù)的庫(kù)存仍然充足，且零售渠道市場(chǎng)的需...
wanglin智能算力 閃存需求增長(zhǎng) 英特爾與美光籌建新閃存工廠
根據(jù)國(guó)外媒體的報(bào)道，英特爾與美光科技公司將開(kāi)始建設(shè)新的NAND閃存芯片制造工廠。 2011年初，東芝將在日本建成一個(gè)新的閃存工廠，這一項(xiàng)目將于本月啟動(dòng)。三星明年也會(huì)有新的韓國(guó)工廠上線(xiàn)。閃存工廠會(huì)耗費(fèi)很多資金成本，制造商都不愿意在這方面進(jìn)行投...
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iSuppli：三星東芝持續(xù)掌控NAND閃存市場(chǎng)
三星和東芝完全控制了NAND閃存市場(chǎng)，給其他廠商留出的市場(chǎng)空間非常有限，各廠商第一季度的收入數(shù)據(jù)如下。 下圖為市場(chǎng)研究公司iSuppli統(tǒng)計(jì)各閃存供應(yīng)商第一季度營(yíng)收（以美元為統(tǒng)計(jì)貨幣）的排名情況。從圖中顯示的情況來(lái)看，三星以38.5%的市場(chǎng)...
lixuyang智能算力 惠普提升Memristor技術(shù)性能對(duì)抗NAND
惠普今天宣布將Memristor技術(shù)的開(kāi)關(guān)速度和耐久性進(jìn)一步提高到等同于目前NAND閃存單元的水平。 Memristor或憶阻器技術(shù)據(jù)說(shuō)和電阻器、電容和電感器一樣也是一個(gè)基本的電路元件。在設(shè)備開(kāi)啟和關(guān)閉之間，憶阻器的電子狀態(tài)保持不變R...
lixuyang智能算力 三星全球率先推出40納米級(jí)動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)芯片
據(jù)韓國(guó)《中央日?qǐng)?bào)》報(bào)道，世界著名存儲(chǔ)芯片企業(yè)三星電子在全球率先推出40納米級(jí)32GB DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體)模塊，并計(jì)劃從4月開(kāi)始生產(chǎn)該產(chǎn)品。 40納米(10億分之1米)工藝是指將芯片內(nèi)部電路的線(xiàn)幅縮小為40納米。芯片電路線(xiàn)幅越薄，...
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