
現(xiàn)代:正式發(fā)布工作頻率達(dá)1GHz的DDR顯存芯片
現(xiàn)代電子近日正式發(fā)布了工作頻率達(dá)1GHz的DDR顯存芯片,新品采用144-pin FBGA封裝,其最高數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1Gbit/s,并計(jì)劃于明年第一季推出市場(chǎng),而現(xiàn)代也將于稍后時(shí)間推出同頻率的...
現(xiàn)代電子近日正式發(fā)布了工作頻率達(dá)1GHz的DDR顯存芯片,新品采用144-pin FBGA封裝,其最高數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1Gbit/s,并計(jì)劃于明年第一季推出市場(chǎng),而現(xiàn)代也將于稍后時(shí)間推出同頻率的...
據(jù)電子時(shí)報(bào)的報(bào)道,Hynix Semiconductor(現(xiàn)代半導(dǎo)體)宣布該公司成功地開發(fā)出使用0.10微米技術(shù)的512Mbit DDR內(nèi)存。