HBM與HBF：AI內(nèi)存革命的雙軌演進
2023年至2025年間，HBM（高帶寬內(nèi)存）作為AI基礎(chǔ)設(shè)施構(gòu)建中不可替代的關(guān)鍵器件，迅速成為全球AI芯片企業(yè)的剛需。 尤其在AI訓(xùn)練、高性能計算領(lǐng)域，HBM3/3e成為高端算力芯片的標配，包括英偉達GH200、AMD MI300系列及國...
崔 歡歡先進存力 共 3 篇文章
標簽：HBF
崔 歡歡先進存力 
Sandisk閃迪與SK海力士攜手推動高帶寬閃存技術(shù)標準化
2025年8月8日，閃迪公司正式宣布與SK海力士簽署具有里程碑意義的諒解備忘錄（Memorandum of Understanding，MOU），雙方將攜手制定高帶寬閃存（High Bandwidth Flash，HBFTM）技術(shù)規(guī)范。這項...
朱 朋博業(yè)界動態(tài) 
閃迪提出高帶寬閃存，對標HBM，可讓手機運行640億參數(shù)模型
閃迪（SanDisk）近日披露了三款即將推出的新SSD細節(jié)，并公布了高帶寬閃存（High-Bandwidth Flash, HBF）技術(shù)規(guī)劃，HBF是對標高帶寬DRAM（HBM）的NAND解決方案。 分拆在即，閃迪需向投資者證明其業(yè)務(wù)穩(wěn)固性...
朱 朋博業(yè)界動態(tài)