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共 4 篇文章

標簽:非易失性存儲

為什么說英特爾傲騰和QLC是完美組合?-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

為什么說英特爾傲騰和QLC是完美組合?

近日,在中國存儲與數(shù)據(jù)峰會上,英特爾中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼發(fā)表了主題為《突破瓶頸,重塑數(shù)據(jù)中心存儲架構(gòu)》的演講,他表示最新的QLC 3D NAND技術(shù)將極大降低閃存成本,讓閃存盡可能多地適應(yīng)大容量的數(shù)據(jù)需求,那么從研發(fā)到落地,英...

張 妮娜張 妮娜業(yè)界動態(tài)

奇夢達公司與旺宏電子聯(lián)合開發(fā)非揮發(fā)性存儲技術(shù)

DoSTOR存儲在線 1月3日國內(nèi)報道:奇夢達公司近日宣布,與臺灣旺宏電子股份有限公司簽署旨在聯(lián)合開發(fā)非易失性存儲技術(shù)的協(xié)議。該項五年的合作計劃關(guān)注于開發(fā)多項新一代非易失性存儲技術(shù),雙方將共同分擔開發(fā)費用、貢獻設(shè)計資源和專業(yè)技術(shù)。 兩家公司...

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飛思卡爾擴展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)nvRAM未來-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

飛思卡爾擴展MRAM產(chǎn)品系列 引領(lǐng)nvRAM未來

飛思卡爾將MRAM 技術(shù)商業(yè)化 MRAM利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路在單個器件中提供了SRAM的高速度和閃存的非易失性,它的壽命幾乎是沒有限制的 。MRAM器件可以用于高速緩沖器、配置內(nèi)存和其他要求高速、耐用和非易失性的商業(yè)應(yīng)用。 作為首家將...

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