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標(biāo)簽:DRAM 第9頁(yè)

全球存儲(chǔ)芯片價(jià)格較年初上張77%,創(chuàng)四年新高

    據(jù)ZDNET中國(guó)消息,由于業(yè)界沒有預(yù)計(jì)到全球供應(yīng)短缺,存儲(chǔ)芯片的價(jià)格迅速增長(zhǎng),達(dá)到了近四年來(lái)的新高。整體來(lái)看,今年存儲(chǔ)芯片的價(jià)格上漲了77%,這跟去年年底時(shí),許多業(yè)界分析家的預(yù)測(cè)完全背道而馳。當(dāng)時(shí)的預(yù)測(cè)...

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iSuppli:2003年全球10大DRAM廠商

    研究機(jī)構(gòu)iSuppli日前指出,2003年DRAM產(chǎn)業(yè)變化極大。三星電子與南科今年盛況不再,而英飛凌、Hynix半導(dǎo)體和美光表現(xiàn)搶眼,全年增長(zhǎng)幅度估計(jì)將達(dá)49.4%、27.8%以及16.6%。...

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DRAM:2003年供大于求,年末恐滯銷7.3%

      據(jù)日經(jīng)Market Access調(diào)查報(bào)告顯示,繼英飛凌之后,2003年開始,包括南韓三星電子等DRAM廠商將陸續(xù)啟用12?晶圓廠,全球DRAM總產(chǎn)量將較2002年成長(zhǎng)66%,達(dá)81.69萬(wàn)...

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東芝和索尼:采用65nm工藝DRAM混載,256MB僅7×7mm

      據(jù)日經(jīng)BP社報(bào)道,東芝和索尼日前聯(lián)合開發(fā)出了面向采用最小加工尺寸65nm工藝制造的系統(tǒng)LSI的DRAM混載CMOS技術(shù)。兩公司試制出了混載1Mbit的DRAM的LSI,并確認(rèn)了其基本工作性...

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