國防科技大學(xué)方糧：閃存技術(shù)進(jìn)展及新型存儲(chǔ)技術(shù)
閃存來說，QLC+3D，或者4D NAND，XTacking容量將增加，但工藝極限預(yù)測是10nm，時(shí)間大約在2020年
崔 歡歡先進(jìn)存力 共 1 篇文章
標(biāo)簽：阻變存儲(chǔ)
崔 歡歡先進(jìn)存力 閃存來說，QLC+3D，或者4D NAND，XTacking容量將增加，但工藝極限預(yù)測是10nm，時(shí)間大約在2020年
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