
國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片艱難突圍,2025年產(chǎn)能可占全球12%
2019年國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存及閃存都取得了重要進(jìn)展,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層堆棧3D閃存,合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存。此外,紫光也會(huì)在2021年進(jìn)軍內(nèi)存市場(chǎng),這是國(guó)內(nèi)最重要的三支存儲(chǔ)芯片力量。
2019年國(guó)產(chǎn)的內(nèi)存及閃存都取得了重要進(jìn)展,長(zhǎng)江存儲(chǔ)量產(chǎn)了64層堆棧3D閃存,合肥長(zhǎng)鑫量產(chǎn)了DDR4內(nèi)存。此外,紫光也會(huì)在2021年進(jìn)軍內(nèi)存市場(chǎng),這是國(guó)內(nèi)最重要的三支存儲(chǔ)芯片力量。