Crocus MRAM:所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)根據(jù)磁通道聯(lián)合的磁場(chǎng)方向變化而變化。

MLU技術(shù)可以幫助IBM和Crocus構(gòu)建更小的MRAM單元–減少至90納米或更小–提高存儲(chǔ)密度。它為所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)提供了更大的穩(wěn)定性。Crocus表示它的MLU:“開啟了在磁記憶體中部署NAND設(shè)置的大門，此前這種做法只可能在閃存記憶體技術(shù)上實(shí)現(xiàn)。MLU NAND記憶體單元的密度可以是傳統(tǒng)磁性記憶體的兩倍到4倍，同時(shí)可以完全地隨機(jī)存取。”

Crocus Technology的執(zhí)行主席Bertrand Cambou表示：“MLU有潛力代替SRAM、DRAM、NAND、NOR和OTP等許多獨(dú)立的和嵌入式記憶體產(chǎn)品。由于MLU的NOR、NAND和XOR能力是構(gòu)建在單晶圓制程的基礎(chǔ)上并采用不同的設(shè)計(jì)架構(gòu)，它們可以很容易地整合進(jìn)片上系統(tǒng)（System-on-Chip）。

Crocus之前曾說(shuō)過(guò)將在芯片制造合作伙伴TowerJazz Seminoconductor那里批量生產(chǎn)130納米制程的MLU產(chǎn)品，在俄羅斯子公司Crocus Nano Electronics（CNE）那里生產(chǎn)90納米、65納米、45納米制程以下的產(chǎn)品。Crocus表示該公司計(jì)劃在CNE生產(chǎn)基地那里部署與IBM聯(lián)合開發(fā)的制程技術(shù)。

IBM表示它的”MRAM技術(shù)相比其他競(jìng)爭(zhēng)性技術(shù)而言有很大的優(yōu)勢(shì)，包括低能耗、高速度、無(wú)限耐用（讀取和寫入）、內(nèi)在的非易失性–這意味著數(shù)據(jù)可以在電力丟失的時(shí)候也能保留。MRAM有潛力支持‘即時(shí)啟動(dòng)’計(jì)算機(jī)，為移動(dòng)計(jì)算設(shè)備提供留出更多的電池使用壽命。“

在我聽來(lái)，有點(diǎn)像是賽道記憶體。除了這個(gè)與Crocus合作的MRAM以外，IBM的Almaden Research Centre研發(fā)中心也在開發(fā)賽道記憶體。后NAND時(shí)代記憶體技術(shù)之爭(zhēng)正激烈，不一定誰(shuí)會(huì)勝出。IBM知道這一點(diǎn)。

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