IBM POWER7首席架構(gòu)師William J. Starke展示"小巧"的POWER7芯片

他特別強(qiáng)調(diào)了IBM在"嵌入式DRAM(eDRAM)及POWER7緩存架構(gòu)"這一核心技術(shù)方面的突破。大規(guī)模的處理器芯片上緩沖架構(gòu)通常是使用 SRAM來(lái)構(gòu)建，但SRAM需要使用6個(gè)晶體管來(lái)保存1比特的信息，因此，大緩存需要占用大量的晶體管。IBM POWER則使用DRAM來(lái)構(gòu)建，因?yàn)镈RAM只需要使用1個(gè)晶體管就能保存1比特的信息，需要占用的晶體管資源更少，比SRAM的占用面積減少3倍，電源功耗減少5倍，實(shí)際上擁有8核、32M大緩存、4GHz等特性的POWER7只使用了12億顆晶體管，而一些對(duì)手的芯片需要用到20億顆晶體管。另外，在上一代POWER6中，L3緩存位于芯片之外，而在POWER7中，IBM將緩存集成到了芯片中，eDRAM技術(shù)為POWER7提供了多達(dá)32MB的芯片上L3緩存，延遲大大縮短，每個(gè)內(nèi)核可以多支持2倍帶寬，由于POWER7是八核，POWER6是雙核，因此每個(gè)芯片的總帶寬提高了8倍。這一技術(shù)突破使得需要高吞吐量、高并行的應(yīng)用大大優(yōu)化。

William J. Starke還告訴記者，下一代的POWER8已經(jīng)在研究設(shè)計(jì)中，與POWER7相比，POWER8在吞吐量、整合度上會(huì)更高，但他拒絕透露更詳細(xì)的信息。

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