不過當我們單獨使用這兩種方法之一時，數(shù)據(jù)的存儲密度并不會有太大的提升，最多提升到200-300GB每平方英寸左右。其中TAR技術(shù)受到磁存儲介質(zhì)最小尺寸方面的限制，而BPR技術(shù)則受到讀寫磁頭的尺寸必須保證與磁島一致的限制。
當我們將兩種方法結(jié)合在一起使用后，兩種方法的缺點則可以被克服，BPR的磁島技術(shù)可以解決TAR磁存儲介質(zhì)最小尺寸方面的限制問題，而TAR技術(shù)則可以解決BPR技術(shù)對讀寫頭尺寸要求過高的問題，這樣便可以帶來存儲密度的極大提升。
采用這兩種技術(shù)的實際設(shè)備中，人們使用鐳射光經(jīng)波導(dǎo)裝置（ waveguide）照射等離子天線（ plasmonic antenna），并由后者來完成寫入操作。當鐳射光照射到天線上時，其能量被轉(zhuǎn)換為電勢能。天線采用"E"字形狀結(jié)構(gòu)，E字中靠外側(cè)的兩個橫桿為地電位，而中間的那條橫桿則采用與避雷針類似的原理，將天線的表面電勢導(dǎo)入到尺寸極小的存儲介質(zhì)單元上。
這種E字形天線的中間橫桿尺寸僅20-25nm左右，三條橫桿之間的彼此距離是24nm左右，研究者們發(fā)現(xiàn)，采用這種結(jié)構(gòu)的天線，人們可以在不影響存儲單元周圍其它單元的條件下讀寫直徑尺寸為15nm的存儲單元。而經(jīng)過波導(dǎo)和天線傳輸?shù)男盘栃蕜t為40%，同時寫入錯誤率也較低，寫入速度則可達 250MB/s。采用這種技術(shù)，研究人員可以制造出每平方英寸面積存儲容量1TB的存儲介質(zhì)，理論上說，采用這種技術(shù)所能達到的極限存儲密度可達10TB /平方英寸。
