在美國閃存峰會上提到了高帶寬閃存（High Bandwidth Flash, HBF），旨在復(fù)刻HBM的設(shè)計理念，在NAND層面實現(xiàn)超高并行與帶寬，解決AI訓(xùn)練過程中存儲帶寬瓶頸問題。
這類產(chǎn)品不再追求單顆容量極限，而是強(qiáng)調(diào)IO接口密度與隨機(jī)訪問性能。
還有長存的Xtacking 4.0 技術(shù)，即長江存儲主推的新一代三維晶棧技術(shù)，強(qiáng)調(diào)將控制邏輯與存儲單元分別制造、再通過混合鍵合連接，顯著提升堆疊密度和帶寬通道。
還有Memory-over-Fabrics（MoF），讓內(nèi)存跨服務(wù)器部署成為可能，是CXL思路的延展與放大。
靈活數(shù)據(jù)放置（FDP, Flexible Data Placement）則是OCP新標(biāo)準(zhǔn)之一，幫助SSD實現(xiàn)更細(xì)粒度的塊管理與寫入效率。
還有RAG（Retrieval-Augmented Generation）相關(guān)的存儲優(yōu)化探索，顯示出廠商們已開始為AI智能體的動態(tài)讀寫行為設(shè)計新型NAND調(diào)度與緩存機(jī)制。
中國CCF存儲大會上，值得關(guān)注的是此前曾轟動全球的復(fù)旦大學(xué)成功研制“破曉”皮秒閃存，子彈射出槍口的速度大約是1毫秒，閃存擦寫速度相當(dāng)于它的2500萬倍，，擦寫速度達(dá)400皮秒，約每秒可執(zhí)行25億次操作，刷新全球存儲速度紀(jì)錄！
存算一體也是反復(fù)出現(xiàn)的焦點，其核心在于讓數(shù)據(jù)在“存儲就地”完成部分計算，減輕內(nèi)存帶寬與能耗負(fù)擔(dān)，推動AI推理下沉。
KV Cache（鍵值存儲）也成為關(guān)鍵詞，它源自大模型推理中token上下文緩存機(jī)制，在固態(tài)存儲中實施將大幅降低顯存與內(nèi)存壓力。
而新介質(zhì)方向方面，自旋存儲芯片（MRAM）以其非易失、高耐久特性被視為SRAM與DRAM之間的理想補(bǔ)位選手。
還有全球閃存峰會。大容量（High Capacity）依然是繞不過的話題，從60TB以上的SSD原型到QLC與PLC的耐久性突破，都映射著“單位瓦特/單位元/單位RU”這三大維度的優(yōu)化趨勢。
而KV Cache作為關(guān)鍵技術(shù)也在全球范圍內(nèi)成為焦點，說明其在RAG工作流、AI向量數(shù)據(jù)庫中的核心地位正在被普遍接受。還有RISC-V架構(gòu)存儲控制器開始登臺，代表開放計算生態(tài)正在逐步打破X86長期主導(dǎo)局面。
如果將這三大會議的關(guān)鍵詞拆解重組，可以看出未來存儲的發(fā)展呈現(xiàn)出三大主線。
一是帶寬先行，以HBF、X-HBM、Memory-over-Fabrics為代表的架構(gòu)正在推高IO密度，適配AI加速卡和智能體時代的爆發(fā)式請求模式。
二是結(jié)構(gòu)革新，混合鍵合技術(shù)，旨在打破單顆芯片堆疊限制，為未來百層以上堆疊做好準(zhǔn)備，同時適配存算、KV Cache等新算法場景。
三是介質(zhì)突破與能效優(yōu)化，亞納秒NAND、MRAM、KV架構(gòu)SSD顯示出全球正嘗試從原材料層、設(shè)計架構(gòu)層雙重革新，以迎接AI智能體數(shù)據(jù)調(diào)用高頻、非線性增長的挑戰(zhàn)。
最后
今天的技術(shù)關(guān)鍵詞，也許是明天的標(biāo)準(zhǔn)配置。從高帶寬、結(jié)構(gòu)重塑到介質(zhì)創(chuàng)新，三大會場給出了存儲未來的三條路。而誰能把握這些路口的最優(yōu)組合，誰就能在AI+存儲的黃金十年中脫穎而出。然而，正如我所見，這仍只是拼圖的一角——真正的變革，或許還在更遠(yuǎn)的角落等待發(fā)現(xiàn)。
更多題內(nèi)容，歡迎鎖定2025年11月18日即將在北京召開，以“釋放數(shù)據(jù)潛能，加速智能涌現(xiàn)”為主題的2025中國數(shù)據(jù)與存儲峰會，敬請期待！
