豐富全面的技術(shù)組合

英特爾代工的先進系統(tǒng)封裝及測試（Intel Foundry ASAT）的技術(shù)組合，包括FCBGA 2D、FCBGA 2D+、EMIB 2.5D、EMIB 3.5D、Foveros 2.5D & 3D和Foveros Direct 3D等多種技術(shù)。

左上：FCBGA 2D、右上：EMIB 2.5D、左下：Foveros 2.5D & 3D、右下：EMIB 3.5D

· FCBGA 2D是傳統(tǒng)的有機FCBGA（倒裝芯片球柵格陣列）封裝，適用于成本敏感、I/O數(shù)量較少的產(chǎn)品。

· FCBGA 2D+在此基礎(chǔ)上增加了基板層疊技術(shù)（substrate stacking），能夠減少高密度互連的面積，降低成本，特別適合網(wǎng)絡(luò)和交換設(shè)備等產(chǎn)品。

· EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2.5D技術(shù)通過基板內(nèi)的微型硅橋連接芯片，適用于高密度的芯片間連接，在AI和高性能計算（HPC）領(lǐng)域表現(xiàn)出色。

· EMIB 3.5D則在此基礎(chǔ)上引入了3D堆疊技術(shù)，芯片可以垂直堆疊在有源或無源的基板上，再通過EMIB技術(shù)連接，增加了堆疊的靈活性，能夠根據(jù)IP的特性選擇垂直或水平堆疊，同時避免使用大型的中介層。

· Foveros 2.5D和3D技術(shù)采用基于焊料的連接方式，而不是基底連接，適合高速I/O與較小芯片組分離的設(shè)計。

· Foveros Direct 3D技術(shù)則通過銅和銅直接鍵合，實現(xiàn)更高的互連帶寬和更低的功耗，從而提供卓越的性能。

值得注意的是，這些技術(shù)并非互斥，而是在一個封裝中可以同時采用，為復(fù)雜芯片的設(shè)計提供了極大的靈活性。在商業(yè)層面，這體現(xiàn)了英特爾對封裝細分市場的重視。

EMIB：AI芯片封裝的理想選擇

針對AI芯片的先進封裝需求，與業(yè)界其它晶圓級2.5D技術(shù)，例如硅中介層、重布線層（RDL）相比，EMIB 2.5D技術(shù)具有諸多優(yōu)勢。

第一，成本效益。EMIB技術(shù)采用的硅橋尺寸非常小，相比于傳統(tǒng)的大尺寸中介層，制造時能更高效地利用晶圓面積，減少空間和資源的浪費，綜合成本更低。

第二，良率提升。EMIB技術(shù)省略了晶圓級封裝（wafer level assembly）這一步驟，減少了模具、凸點等復(fù)雜工藝帶來的良率損失風(fēng)險，從而提高了整體生產(chǎn)過程的良率。

第三，生產(chǎn)效率。與晶圓級技術(shù)相比，EMIB技術(shù)的制造步驟更少、復(fù)雜度更低，因此生產(chǎn)周期更短，能夠為客戶節(jié)省寶貴的時間。在市場動態(tài)快速變化的情況下，這種時間優(yōu)勢能夠幫助客戶更快地獲得產(chǎn)品驗證數(shù)據(jù)，加速產(chǎn)品上市。

第四，尺寸優(yōu)化。晶圓級技術(shù)需要在基板上方添加中介層，而EMIB則將硅橋嵌入基板，極大地提高了基板面積的利用率。同時，基板的尺寸與集成電路面板的格式相匹配，采用EMIB能夠在單個封裝中集成更多芯片，從而容納更多的工作負載。

第五，供應(yīng)鏈與產(chǎn)能。英特爾擁有成熟的供應(yīng)鏈和充足的產(chǎn)能，確保了EMIB能夠滿足客戶對先進封裝解決方案的需求。

展望未來

展望未來，英特爾正在研發(fā)120×120毫米的超大封裝，并計劃在未來幾年內(nèi)向市場推出玻璃基板（glass substrate）。與目前采用的有機基板相比，玻璃基板具有超低平面度、更好的熱穩(wěn)定性和機械穩(wěn)定性等獨特性能，能夠大幅提高基板上的互連密度，為AI芯片的封裝帶來新的突破。

英特爾在AI時代的先進封裝技術(shù)領(lǐng)域不斷創(chuàng)新，將繼續(xù)引領(lǐng)和推動行業(yè)發(fā)展，為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)注入新的活力。

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