其次，英特爾率先在業(yè)內(nèi)實現(xiàn)了PowerVia背面供電技術(shù)，再次革新了芯片制造。隨著越來越多的使用場景都需要尺寸更小、密度更高、性能更強的晶體管來滿足不斷增長的算力需求，而混合信號線和電源一直以來都在“搶占”晶圓內(nèi)的同一塊空間，從而導(dǎo)致?lián)矶?，并給晶體管進一步微縮增加了難度。

PowerVia背面供電技術(shù)應(yīng)運而生，通過將粗間距金屬層和凸塊移至芯片背面，并在每個標(biāo)準(zhǔn)單元中嵌入納米級硅通孔 (nano-TSV)，以提高供電效率。這項技術(shù)實現(xiàn)了ISO功耗效能最高提高4%，并提升標(biāo)準(zhǔn)單元利用率5%至10%。

在兩大核心技術(shù)的支持下，Intel 18A將實現(xiàn)芯片性能、密度和能效的顯著提升。與Intel 3相比，Intel 18A的每瓦性能預(yù)計提升15%，芯片密度預(yù)計提升30%，這些改進不僅為英特爾自身產(chǎn)品提供了強大的性能支持，更將為諸多領(lǐng)域的未來創(chuàng)新應(yīng)用奠定堅實的技術(shù)基礎(chǔ)。從醫(yī)療影像診斷到智能交通的精準(zhǔn)調(diào)度，助力整個科技產(chǎn)業(yè)邁向新的高度。

多元應(yīng)用場景下，優(yōu)勢盡顯

當(dāng)前的AI原生時代下，對于高性能計算（HPC）、復(fù)雜的AI訓(xùn)練和推理任務(wù)等這類需處理海量數(shù)據(jù)、進行復(fù)雜運算，對性能要求近乎極致的應(yīng)用場景對能效與性能有著嚴苛需求，PowerVia和RibbonFET兩項技術(shù)突破能夠為不同場景提供更加高效、穩(wěn)定的技術(shù)支撐。

在圖像信號處理、視頻和AI視覺等場景中，這兩大技術(shù)突破也能夠展現(xiàn)出不可替代性。PowerVia技術(shù)通過減少IR壓降、優(yōu)化信號布線以及提高芯片正面單元利用率，能夠顯著降低功耗損失。而RibbonFET技術(shù)通過更高的功能集成度在精密的醫(yī)療和工業(yè)傳感器設(shè)計方面優(yōu)勢顯著。

基于Intel 18A的首款產(chǎn)品Panther Lake將于2025年下半年發(fā)布。憑借Intel 18A及未來更多的技術(shù)創(chuàng)新，英特爾將持續(xù)致力于推動可持續(xù)的算力增長，滿足客戶及合作伙伴多樣化的需求。

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