為什么用中子試驗驗證固態(tài)硬盤可靠性?
中子,在自然界中無處不在,尤其在高原地區(qū),中子通量隨著海拔的升高而急劇增加。中子對固態(tài)硬盤具有潛在威脅,它能與半導體微電子相互作用會引發(fā)單粒子效應(SEE),導致器件功能異常、數(shù)據(jù)丟失甚至損毀。尤其是在高海拔等中子密度高的地區(qū),這種威脅更為嚴峻,一旦引發(fā)故障,不僅會影響我們正常的工作和生活,也極有可能造成不可估量的經(jīng)濟損失。
為應對這一挑戰(zhàn),憶聯(lián)以AM541為樣本,在中國散裂中子源大氣中子輻照譜儀開展了系列測試,通過監(jiān)測其在極端中子輻射環(huán)境下的正常工作時間,以驗證其在極端場景中的高可靠性,真正讓用戶使用無憂。
中子試驗:百萬倍大氣中子注量率,AM541通過嚴苛“考驗”
試驗選取憶聯(lián)AM541及國內(nèi)友商的同類產(chǎn)品A,以相同樣本量、相同的試驗環(huán)境進行測試:所有盤片均以2.67×10(5)n/cm(2)·s的中子注量率進行輻照,直至盤片失效或測試時長超過20分鐘,試驗過程中通過自動化試驗腳本記錄硬盤正常運行時間。
中子輻照現(xiàn)場圖
據(jù)中子試驗相關專家介紹,此次試驗采用的中子注量率遠超自然環(huán)境的中子強度,即使相對于海拔較高的阿里、西藏等高原地區(qū),本次試驗的中子密度也超過百萬倍,通過監(jiān)測硬盤在試驗環(huán)境下的工作時間,可推算出樣品在各種復雜環(huán)境中的平均故障時間及可靠性。
經(jīng)過多組試驗顯示,在2.67×10(5)n/cm(2)·s中子注量率輻照下, AM541的平均運行時間可達12.5分鐘,遠遠高于友商產(chǎn)品A的9.2分鐘,這表明在相同環(huán)境下,AM541具有更高的可靠性。
高海拔地區(qū)三年失效率僅0.0033%,AM541高可靠保障用戶使用無憂
西藏拉薩,作為絕大多數(shù)人心馳神往的旅游勝地,其平均海拔高達3600多米,這幾乎已經(jīng)是自然條件下固態(tài)硬盤所面臨的最為極端的考驗。
以拉薩3650米海拔作為參考,AM541在3600+米高海拔地區(qū)的首年失效概率僅為0.0003%(可靠度99.9997%),產(chǎn)品質(zhì)保期3年失效概率僅為0.0033%(可靠度99.9967%)。相比之下憶聯(lián)AM541的可靠性指標遠遠高于友商,可為用戶營造滿滿的“安全感”。
1stAFT:首年失效率;PPM:百萬分之一
作為憶聯(lián)具有代表性的自研消費級產(chǎn)品,憶聯(lián)對 AM541進行面向極端可靠性的深度設計和優(yōu)化,實現(xiàn)了其在諸多實際應用場景、極端環(huán)境下的高可靠性及穩(wěn)定性,為數(shù)據(jù)存儲“保駕護航”。
當下,隨著AI PC快速普及、大模型應用加速落地終端,個人數(shù)據(jù)價值不斷提升的同時,也對數(shù)據(jù)安全也提出了更高要求。憶聯(lián)深耕閃存領域二十余年,并持續(xù)致力于存儲技術創(chuàng)新和產(chǎn)品升級,可以提供更高可靠性的產(chǎn)品及解決方案。未來,憶聯(lián)將精準洞察行業(yè)趨勢,推出更多高性能、高可靠的存儲解決方案,為人工智能在客戶端的落地應用提供強大的存力支撐。