光刻膠作為芯片制造的關(guān)鍵材料，其原理類似于膠卷的曝光過程。芯片制造過程中，晶圓表面會(huì)涂上一層光刻膠，并通過掩膜版將電路圖投影在其上。經(jīng)過光線照射曝光和一系列處理后，晶圓上便形成了芯片所需的電路結(jié)構(gòu)。

然而，光刻膠的核心原料和配方技術(shù)長期以來被國外企業(yè)嚴(yán)格封鎖，目前我國所需的光刻膠九成以上依賴進(jìn)口。

該團(tuán)隊(duì)此次研發(fā)的T150A光刻膠對標(biāo)國際先進(jìn)的KrF光刻膠系列。相較于國外同類產(chǎn)品，T150A在光刻工藝中展現(xiàn)了優(yōu)異性能，其極限分辨率達(dá)120納米，具有更大的工藝寬容度和更高的穩(wěn)定性，同時(shí)表現(xiàn)出優(yōu)越的留膜率和刻蝕工藝效果。

驗(yàn)證結(jié)果表明，T150A在密集圖形刻蝕過程中能保持下層介質(zhì)側(cè)壁的垂直度，進(jìn)一步證明了其在半導(dǎo)體光刻工藝中的出色表現(xiàn)。

團(tuán)隊(duì)在電子化學(xué)品領(lǐng)域深耕二十余載，立足于關(guān)鍵光刻膠底層技術(shù)研究，致力于半導(dǎo)體專用高端電子化學(xué)品原材料和光刻膠的開發(fā)，并以新技術(shù)路線為半導(dǎo)體制造開辟新型先進(jìn)光刻制造技術(shù)，同時(shí)為材料的分析與驗(yàn)證提供全面的手段。

團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人表示：“以光刻技術(shù)的分子基礎(chǔ)研究和原材料的開發(fā)為起點(diǎn)，最終獲得具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的配方技術(shù)，這只是個(gè)開始。我們團(tuán)隊(duì)還會(huì)發(fā)展一系列應(yīng)用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，致力于突破國外卡脖子關(guān)鍵技術(shù)，為國內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)帶來更多驚喜。”

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