這次手里拿到的是2X16GB的版本,官網(wǎng)上顯示還有更大的24GB的版本,也支持6000MT/s。如果想要更大單條32GB的話,就只有5600MT/s可選了。
Crucial DDR5 Pro:超頻版采用了鋁制散熱器,據(jù)說外觀設(shè)計(jì)靈感源自折紙藝術(shù)。質(zhì)感摸上去涼涼的,沉甸甸的。整體外觀低調(diào)內(nèi)斂,沒有RGB燈條,適合喜歡低調(diào),不喜歡光污染的朋友。
如今常見的DDR5的CL值都比較高,經(jīng)常在40左右。相比之下,Crucial DDR5 Pro:超頻版的CL數(shù)據(jù)更低。不過,在 6000頻率下運(yùn)行時(shí),電壓從原來的1.1V提高到了1.35V。
如果按照納秒為單位來計(jì)算真實(shí)內(nèi)存延遲,按照計(jì)算公式:真實(shí)內(nèi)存延遲(納秒)= (2000 / RAM速度) (納秒) × CAS延遲。
DDR5 5600 CL46的延遲為16.43 ns,DDR5 6000 CL48為16ns,而新的超頻版內(nèi)存,DDR5 6000 CL36的延遲為12ns。這種延遲表現(xiàn)已經(jīng)跟很多后期的DDR4一個(gè)水平了。
Crucial DDR5 Pro:超頻版兼容 Intel XMP 3.0 和 AMD EXPO 超頻配置文件。通常來說,使用XMP和EXPO都能相對(duì)安全地提升內(nèi)存速度和時(shí)序,這些都是經(jīng)過主板廠商和內(nèi)存廠商測(cè)試之后才放出的,一般也不會(huì)影響CPU的保修。
超頻請(qǐng)慎重
但是要注意的是,這款內(nèi)存雖說是超頻版的,但這里“超頻”需要用XMP/EXPO配置文件來完成,所謂超頻只是超過了 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)而已。所以,不要看見超頻兩個(gè)字就腦袋一熱,瘋狂超頻,把參數(shù)調(diào)的過高的話,萬一出問題是沒法保修的。
Crucial DDR5 Pro:超頻版產(chǎn)品介紹頁里提到了內(nèi)存保修相關(guān)條款,條款中說,如果時(shí)鐘頻率超過6000,或電壓超出額定值1.35V,可能會(huì)損壞計(jì)算機(jī)組件,并使保修失效,美光不會(huì)對(duì)此類損壞承擔(dān)任何責(zé)任。
從上方圖表可見,Crucial DDR5 Pro:超頻版推薦在三種模式下工作:
第一種是不超頻,直接使用JEDEC默認(rèn)的5600MT/s和默認(rèn)的時(shí)序;第二種則是把它超到6000MT/s,同時(shí)獲得更好的時(shí)序表現(xiàn);第三種則是保持在5600MT/s,同樣有更好的時(shí)序表現(xiàn)。
所以,為了整體的穩(wěn)定性,還有硬件的安全性,我們也不會(huì)嘗試這三種設(shè)置以外的配置,特別有探索欲的朋友也可以嘗試進(jìn)一步降低時(shí)序數(shù)據(jù),提升一下頻率什么的。
不過,國外有超頻愛好者試了試,但發(fā)現(xiàn)超頻的空間不大,提高電壓帶來的提升并不明顯。
上機(jī)上電測(cè)試:
測(cè)試環(huán)境:
主板:華碩TUF GAMING X670E-PLUS WIF
CPU:AMD Ryzen 7600
顯卡:技嘉3070魔鷹
系統(tǒng)盤SSD:Solidigm P41 Plus 2TB
電源:振華金牌全模850瓦
內(nèi)存:Crucial Pro DDR5 6000 16 X 4
上機(jī)通電,在BIOS里設(shè)置為EXPO I 也就是DDR5 6000 36-38-38-80,此時(shí)的電壓為1.35V。
如果設(shè)置為5600的話,電壓則為1.25V。如果按照J(rèn)EDEC的默認(rèn)值,應(yīng)該就是1.1V了。
正常開機(jī)運(yùn)行后,運(yùn)行CPU-Z查看基本的硬件配置信息,如下圖:
跑分測(cè)試對(duì)比
接下來,我們用AIDA64的跑分工具簡(jiǎn)單進(jìn)行一下性能測(cè)試。
上圖左側(cè)展示的是在內(nèi)存頻率為6000時(shí)的跑分測(cè)試情況,右側(cè)展示的是在內(nèi)存頻率為5600時(shí)的跑分測(cè)試情況。
Read: 讀取速度,即內(nèi)存在單位時(shí)間內(nèi)可以讀取的數(shù)據(jù)量,這里是62149MB/s vs 61870 MB/s/。
Write: 寫入速度,即內(nèi)存在單位時(shí)間內(nèi)可以寫入的數(shù)據(jù)量,這里是88348 MB/s vs 82820 MB/s。
Copy: 復(fù)制速度,即內(nèi)存執(zhí)行內(nèi)部數(shù)據(jù)復(fù)制操作的速度,這里是63258 MB/s vs 62533 MB/s。
Latency: 延遲時(shí)間,指完成一次讀取操作所需的平均時(shí)間,這里是71.8納秒 vs 76.9納秒。
在我們的測(cè)試中,當(dāng)頻率從5600MH提升到6000MH時(shí),各項(xiàng)性能指標(biāo)都有所改善,特別是寫入速度和延遲,這表示這款英睿達(dá) Pro在6000MHz的頻率下確實(shí)表現(xiàn)更佳。這對(duì)于確保系統(tǒng)在處理高負(fù)載任務(wù)時(shí)保持流暢是很有幫助的。
當(dāng)然,內(nèi)存頻率高并不總是意味著實(shí)際性能就一定會(huì)提高,因?yàn)閮?nèi)存性能也受到其他因素的影響,比如時(shí)序和延遲等。
而當(dāng)各項(xiàng)參數(shù)提升時(shí),意味著內(nèi)存可以更快地處理數(shù)據(jù),這對(duì)于那些對(duì)內(nèi)存速度敏感的應(yīng)用,比如大型游戲、視頻處理軟件、以及需要大量數(shù)據(jù)讀取和寫入的科學(xué)計(jì)算等,都有明顯的好處。
做個(gè)簡(jiǎn)單的對(duì)比,當(dāng)使用4條英睿達(dá)5600MH/s,時(shí)序數(shù)據(jù)為46-45-45-90內(nèi)存,運(yùn)行在5600MH時(shí),跑分情況如上圖這樣(多跑了幾次,取了個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的中間值)。
對(duì)比之下,其內(nèi)存頻率稍低,不到28000MHH,這可能會(huì)對(duì)讀寫速度和復(fù)制速度略有影響。
實(shí)際跑分顯示,內(nèi)存讀取、寫入速度以及復(fù)制速度都稍微下降,延遲也從76.9 ns增加到80.4 ns,內(nèi)存響應(yīng)速度也略有降低。
這也能看出來,將內(nèi)存頻率提升到6000MH/s之后帶來的提升。
成本分析與購買建議
截止到2024年4月,Crucial英睿達(dá)Pro 6000MH(CL36),32GB(16GB×2)的售價(jià)大約為899元,而Crucial英睿達(dá)Pro 5600MH,32GB(16GB×2)的售價(jià)大約為699元。
對(duì)于普通個(gè)人非生產(chǎn)力用戶而言,從性價(jià)比的角度來看,目前,還是Crucial英睿達(dá)Pro 5600MH的性價(jià)比更高。
對(duì)于專業(yè)玩家和電競(jìng)選手、專業(yè)內(nèi)容創(chuàng)造者、科學(xué)和工程應(yīng)用研發(fā)人員、超頻的愛好者,更高性能的內(nèi)存,提供了更多的超頻空間和更好的穩(wěn)定性則更重要一些。
Crucial英睿達(dá)Pro 6000MH,這是目前英睿達(dá)性能最高的DDR5臺(tái)式機(jī)電腦內(nèi)存,當(dāng)然,市場(chǎng)上還有性能更高,超頻能力更強(qiáng)的內(nèi)存。
但對(duì)于那些,對(duì)于性能和穩(wěn)定性要求都很高的用戶而言,通常傾向于使用直接生產(chǎn)內(nèi)存顆粒的大廠的產(chǎn)品,比如背后有美光的,來自英睿達(dá)的內(nèi)存,比如Crucial英睿達(dá)Pro 6000MH這種。
正文結(jié)束,最后提一個(gè)個(gè)人發(fā)現(xiàn)的小知識(shí)點(diǎn):
在了解Crucial英睿達(dá)Pro 6000MH內(nèi)存時(shí),發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在臺(tái)式機(jī)的DDR5內(nèi)存自帶的On-die ECC與服務(wù)器內(nèi)存ECC是有區(qū)別的,前者可以檢測(cè)并糾正單比特錯(cuò)誤,而后者可以糾正更多的錯(cuò)誤類型,例如雙比特錯(cuò)誤。
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