與上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品組合具有更加強大的技術(shù)特性，其RDS(on)降低了42%，有助于減少傳導(dǎo)損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面，OptiMOS 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使開關(guān)和 EMI 性能均得到明顯改善。該技術(shù)還提升了寄生電容線性度（Coss 和 Crss），減少了開關(guān)期間的振蕩并降低了電壓過沖。更緊密的 VGS(th) 分布和低跨導(dǎo)特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享，使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量。

OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品具有更出色的SOA并達(dá)到J-STD-020標(biāo)準(zhǔn)中的MSL 1等級。該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛，滿足當(dāng)前行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的要求。

供貨情況

OptiMOS 6 200 V產(chǎn)品提供多種封裝，包括PQFN 3.3.×3.3、SuperSO8 5×6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，適用于各種應(yīng)用。所有型號目前均可訂購。

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