[1]在 UEFI/BIOS 設(shè)置中打開 Intel XMP 3.0 或 AMD EXPO^TM，Crucial 英睿達(dá) DDR5 臺式電腦內(nèi)存模塊 (UDIMM) 即可達(dá)到額定速度。適用于所有 Crucial 英睿達(dá) DDR5 臺式電腦內(nèi)存 (UDIMM) 模塊（Crucial 英睿達(dá) DDR5-4800 臺式電腦內(nèi)存除外，它僅支持 Intel? XMP 3.0）。基于截至 2023 年 8 月公布的 DDR5 內(nèi)存競爭對手規(guī)格。改變時鐘頻率或電壓超過 6,000MT/s 的額定速度和 36-38-38-80 時序 (1.35V) 可能會導(dǎo)致?lián)p壞計(jì)算機(jī)組件并使質(zhì)保無效，美光對此類損壞概不負(fù)責(zé)。

[2]更多有關(guān)信息，請參閱 Micron.com/products/nand-flash。

[3]當(dāng)安裝于 Gen5 平臺時。測量的典型 I/O 性能使用隊(duì)列深度為 512 并啟用寫入高速緩存的 CrystalDiskMark?。Windows 11 核心隔離已禁用性能測試。假設(shè)為開箱即用 (FOB) 狀態(tài)。出于性能測試的目的，可通過安全擦除指令將 固態(tài)硬盤恢復(fù)至 FOB 狀態(tài)。系統(tǒng)變化將影響測試結(jié)果。

[4]將 Crucial 英睿達(dá) Pro DRAM 超頻版 CL36 超頻速度 6000MT/s 時的 12ns 真實(shí)內(nèi)存延遲與 Crucial 英睿達(dá) Pro DRAM 即插即用版 CL48 超頻速度 6000MT/s 時的 16ns 真實(shí)內(nèi)存延遲進(jìn)行比較。12ns 比 16ns 的真實(shí)內(nèi)存延遲低 25%。更低的真實(shí)內(nèi)存延遲通常轉(zhuǎn)化為更高的幀率。

[5]在典型的通風(fēng)和環(huán)境溫度條件下，預(yù)安裝的高品質(zhì)散熱器可以讓 T705 Gen5 固態(tài)硬盤保持高工作負(fù)載，無需熱保護(hù)。與無散熱裝置的固態(tài)硬盤溫度相比較。請確保您的驅(qū)動器適當(dāng)通風(fēng)，從而實(shí)現(xiàn)上佳性能。

[6] 非散熱器版本的 Crucial 英睿達(dá) T705 應(yīng)安裝主板或備用散熱器，以實(shí)現(xiàn)上佳性能。

[7]有限終身質(zhì)保在任何國家/地區(qū)均有效，但奧地利、比利時、法國、德國除外，其質(zhì)保有效期為自購買之日起十年。

[8]質(zhì)保期為原始購買日期起 5 年內(nèi)，或?qū)懭氘a(chǎn)品數(shù)據(jù)表中公布的以及產(chǎn)品 SMART 數(shù)據(jù)中測量的較大總寫入字節(jié)數(shù) (TBW) 之前，以先到者為準(zhǔn)。

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